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U634H256
C型
DC特性
符号
V
CC
I
OH
I
OL
V
CC
V
OH
V
OL
V
CC
高
低
输出漏电流
高在三语句输出
在低三语句输出
I
OHZ
I
OLZ
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
V
CC
V
OH
V
OL
条件
分钟。
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入漏电流
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
= 4.5 V
= -4毫安
= 8毫安
= 4.5 V
= 2.4 V
= 0.4 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
1
-1
-1
1
A
A
1
-1
-1
1
A
A
2.4
0.4
-4
8
8
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
-4
马克斯。
V
V
mA
mA
K型
单位
SRAM存储器操作
符号
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
ELQX
t
GLQX
t
AXQX
t
ELICCH
t
EHICCL
IEC
t
cR
t
a(A)
t
一（ E）
t
一（ G）
t
DIS （ E）
t
DIS （ G）
t
烯（ E）
t
EN（ G）
t
V（A）
t
PU
t
PD
5
0
3
0
25
分钟。
25
25
25
10
10
10
5
0
3
0
35
25
马克斯。
分钟。
35
35
35
15
13
13
5
0
3
0
45
35
马克斯。
45
单位
分钟。
45
45
45
20
15
15
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
开关特性
读周期
读周期时间
f
地址访问时间到数据有效
g
芯片使能存取时间到数据有效
输出启用访问时间到数据有效
高到输出的高阻
h
摹高到输出的高阻
h
低辐射LOW到输出中低Z
G低到输出低-Z
地址变更后的输出保持时间
10芯片使能为功耗工作
e
11片禁用于电源待机
D，E
e:
f:
g:
h:
参数的保证，但未经测试。
设备不断选择与E和G两个低。
地址有效之前或有E过渡LOW一致。
测
±
200毫伏的稳态输出电压。
4
1997年12月12日
