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三菱微型计算机
3804分之3803集团
单片8位CMOS微机
（ 3 ）闪存模式3 （ CPU重新编程
模式）
该三千八百○四分之三千八百○三组具有CPU重新编程模式，其中一个
内置的闪速存储器是由中央处理单元处理的
（中央处理器） 。
在CPU重新编程模式下，闪光存储器由处理
写作和阅读到/从闪存控制寄存器（见
图101）和闪光指令寄存器（见图102）。
在CNV
SS
引脚用于作为V
PP
在CPU重现电源引脚
编程模式。它需要施加的电源电压
V的
PP
h，从外部到该引脚。
无论这些操作已经完成或不能判定
擦除的每个命令和亲后，检查该标志
执行克。
位4,5闪速存储器控制寄存器是擦除/亲
克区选择位。这些位指定的区域擦除和
程序进行操作。当擦除命令后执行
一个区域由这些位指定，仅指定区域是
删除。仅适用于指定区域，规划已启用;为
其他方面，节目将被禁用。
图103显示了在CPU模式寄存器的配置
CPU重新编程模式。
功能概述（ CPU重新编程模式）
图101显示了闪存控制寄存器的配置位
化。图102所示为flash命令寄存器位
配置。
位的闪速存储器控制寄存器0是CPU reprogram-
明模式选择位。当此位被设置为“1”和第五
PP
H是
施加到CNVSS / v
PP
销中，CPU重新编程模式是
选择。无论是CPU重新编程方式实现或
未通过读取CPU重新编程模式来判断显示器
标志（闪速存储器控制寄存器的2位） 。
位1是一个忙标志，它变成“1”的擦除和编程过程中
执行。
7
6
0
5
4
3
0
2
1
0
闪速存储器控制寄存器
（ FCON ：地址0FFE
16
)
CPU重新编程模式选择位
（注）
0 ： CPU重新编程模式是无效的。 （正常工作模式）
1 ：当施加0V至CNV
SS
/V
PP
引脚， CPU重新编程模式
无效的。当应用V
PP
H与CNV
SS
/V
PP
销， CPU重新编程模式是有效的。
擦除/编程忙标志
0 ：擦除和编程完成或尚未执行。
正在执行擦除/编程： 1 。
CPU重新编程模式监控标志
0 ： CPU重新编程模式是无效的。
1 ：CPU重新编程模式是有效的。
修复此位为“ 0”。
擦除/编程区位选择
0 ：地址1000
16
为FFFF
16
（共60字节）
0 1 ： 1000的地址
16
到7FFF
16
（共28字节）
1 0 ：地址8000
16
为FFFF
16
（共32字节）
1 ：不适用
修复此位为“ 0”。
未使用（返回"0"读）
注意：
第0位只能被重新编程时，将0V施加到的CNV
SS
/V
PP
引脚。
图。 101闪存控制寄存器位配置
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