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M29W800DT
M29W800DB
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块）
3V供应闪存
功能摘要
s
电源电压
– V
CC
= 2.7V至3.6V的编程，擦除和
读
s
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图1.套餐
存取时间： 70为90ns
编程时间
- 每字节为10μs /字典型
19内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和16个主要模块
SO44 （M）的
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编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字的程序算法
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
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解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护
模式
通用闪存接口
- 64位验证码
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FBGA
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TFBGA48 （ZA）
8×6球排列
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低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 热门器件代码M29W800DT ： 22D7h
- 底设备代码M29W800DB ： 225Bh
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2002年4月
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