位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第664页 > M29W800DB90M1T > M29W800DB90M1T PDF资料 > M29W800DB90M1T PDF资料2第33页
M29W800DT ， M29W800DB
表22. CFI查询系统的接口信息
地址
数据
x16
1Bh
x8
36h
0027h
V
CC
逻辑电源最低编程/擦除电压
7位4
在伏BCD值
3位为0
以100 mV BCD值
V
CC
逻辑电源最大编程/擦除电压
7位4
在伏BCD值
3位为0
以100 mV BCD值
V
PP
[编程]供应最低编程/擦除电压
V
PP
[编程]电源最大编程/擦除电压
每单字节典型的超时/ Word程序= 2
n
s
典型的超时最小尺寸写缓冲区方案= 2
n
s
典型的超时每个别块擦除= 2
n
ms
典型的超时整片擦除= 2
n
ms
对于字节最大超时/ Word程序= 2
n
时代典型
写缓冲区方案= 2最大超时
n
时代典型
每个单独的块擦除最大超时= 2
n
时代典型
最大超时芯片擦除= 2
n
时代典型
2.7V
描述
价值
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
38h
3Ah
3Ch
3Eh
40h
42h
44h
46h
48h
4Ah
4Ch
0036h
0000h
0000h
0004h
0000h
000Ah
0000h
0004h
0000h
0003h
0000h
3.6V
NA
NA
16s
NA
1s
见注（ 1 ）
256s
NA
8s
见注（ 1 ）
注：1，不支持CFI
33/41
