位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2324页 > M29F800AT70N6T > M29F800AT70N6T PDF资料 > M29F800AT70N6T PDF资料1第1页
M29F800AT
M29F800AB
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块）
单电源闪存
初步数据
s
单5V ± 10 ％电源电压
编程，擦除和读取操作
访问时间： 70ns的
编程时间
- 每个字节8μs /字典型
19内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和16个主要模块
1
44
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
SO44 （M）的
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
19
A0-A18
W
E
G
RP
VCC
s
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
M29F800AT
M29F800AB
字节
RB
s
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- M29F800AT器件代码： 00ECh
- M29F800AB器件代码： 0058h
s
s
VSS
AI02198B
2000年1月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/21
