M25P05-A
说明
所有指令，地址和数据被移位在
和从装置中，最显著第一比特。
串行数据输入（ D）的上采样的第一个上升沿
串行时钟（ C）的后片选（ S）为边缘
驱动为低电平。然后，将1字节的指令代码
必须移入到设备上，最为显著位
首先，在串行数据输入（ D）中，各比特是
锁存串行时钟（ C）的上升沿。
该指令集被列在表4中。
每个指令序列开始的一个字节的
指令代码。根据指令，
这随后可能是地址字节，或通过数据
字节，或由两者或无。芯片选择（S ）必须
该指令的最后一位后从动高SE-
quence已被移入。
在读数据字节的情况下（READ ） ，读
数据字节以更高的速度（ FAST_READ ） ，读
状态寄存器（ RDSR）或深放
掉电和阅读电子签名
表4.指令集
指令
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
描述
写使能
写禁止
读状态寄存器
写状态寄存器
读取数据字节
单字节指令代码
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 1011
0000 0010
1101 1000
1100 0111
1011 1001
地址
字节
0
0
0
0
3
3
3
3
0
0
0
1010 1011
0
0
DUMMY
字节
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
3
数据
字节
0
0
1
∞
1
1
∞
1
∞
1 256
0
0
0
1
∞
0
（ RES）的指令，所述移动式指令SE-
quence后面是数据输出序列。芯片
选择（S ），可之后的任何位被驱动为高电平
数据输出序列被移出。
在一个页编程（PP），扇区擦除的情况下
（ SE ） ，批量擦除（ BE ） ，写状态寄存器
（ WRSR ） ，写使能（ WREN ） ，写禁止
（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）的指令，
芯片选择（ S）必须在驱动高精确地
字节边界，否则该指令是reject-
不执行主编，和。也就是说，芯片选择（ S）
必须驱动为高电平时，时钟脉冲数
后片选（ S）驱动为低电平是一种精确
多八。
所有尝试期间访问所述存储器阵列
写状态寄存器周期，项目周期或
擦除周期被忽略，内部写
状态寄存器的周期，项目周期或擦除赛扬
CLE继续不受影响。
FAST_READ读取数据字节以更快的速度
PP
SE
BE
DP
页编程
扇区擦除
批量擦除
深度掉电
从深度掉电释放，
和阅读电子签名
从深度掉电发布
水库
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