LTC3776
应用S我FOR ATIO
尺寸为最LTC3776应用，因为它进行一
相对较小的平均电流。更大的二极管导致
由于其较大的路口额外的转换损耗
电容。该二极管可如果英法fi效率略
损失是可以容忍的。
C
IN
和C
OUT
选择
C的选择
IN
由2相简化architec-
自命其在最坏情况下的冲击电流有效值画
通过输入网络（电池/保险丝/电容） 。它可以
可以证明，电容器RMS电流最坏情况下的
当只有一个控制器运行时。的控制 -
具有最高LER （Ⅴ
OUT
)(I
OUT
）产物需要使用
式中的下面，以确定最大RMS
电容电流的要求。增加输出电流
租金从另一个控制器画实际上降低
输入RMS从其最大值纹波电流。该
出异相技术通常会降低输入
电容的RMS纹波电流的30％的一个因素，以70％的
当相比于单相电源的解决方案。
在连续模式下， P沟道的源极电流
MOSFET是方波的占空比（Ⅴ
OUT
)/(V
IN
） 。对
防止大的瞬态电压，低ESR电容的大小
对于最大RMS电流一个信道的一定
使用。最大RMS电容器的电流由下式给出：
C
IN
需要我
RMS
≈
1/ 2
I
最大
(
V
OUT
)(
V
IN
– V
OUT
)
V
IN
[
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，在那里我
RMS
= I
OUT
/ 2 。这个简单的最坏情况是常见的
用于设计，因为即使是显著的偏差不
提供多少援助。需要注意的是电容制造商
纹波电流额定值往往仅基于2000小时
生活。这使得它建议进一步减免了
电容器，或选择额定在更高的电容器
比需要的温度。多个电容器可
并联以满足大小或高度要求
设计。由于LTC3776的高的工作频率，
陶瓷电容器，也可使用对C
IN
。总是
咨询厂家，如果有任何问题。
LTC3776的两相操作的好处，可以校准 -
通过使用上面的等式对于较高功率culated
U
控制器然后计算，将有损失
如果两个控制器通道接通的结果
同一时间。总RMS功率失去了较低时，这两个
控制器是由于操作以减少重叠
通过输入电容器的ESR所需的电流脉冲。
这就是为什么在输入电容器的要求计算
以上对于最坏情况下的控制器是足够的
双控制器设计。另外，输入保护保险丝重新
sistance ，电池内阻和PCB布线电阻
损失是由于也降低到降低的峰值电流
在两相系统中。多相的整体利益
设计才会完全实现时，源阻抗
电源/电池的ANCE包含在艾菲
效率测试。所述P沟道MOSFET的源极
应放置在1cm以内彼此并共享
常见的C
IN
（多个） 。分离来源和C
IN
可以亲
达斯不希望的电压和电流谐振在V
IN
.
小（ 0.1μF至1μF ）芯片之间的旁路电容
V
IN
销和地面，放置在靠近LTC3776 ，也
建议。一个10Ω的电阻放在C的差别
IN
（C1）和
在V
IN
引脚提供了两者之间的进一步孤立
通道。
C的选择
OUT
由等效串联驱动
电阻（ESR） 。通常情况下，一旦ESR要求是
满意，电容是足够的滤波。该
输出纹波（ ΔV
OUT
）被近似为：
1
V
OUT
≈
I
纹波
ESR
+
8fC
OUT
W
U U
]
其中f为工作频率，C
OUT
是输出
电容和我
纹波
在电感中的纹波电流
器。输出纹波是最高的最大输入电压
因为我
纹波
增加了与输入电压。
设置输出电压
的LTC3776的信道1的输出电压是由一个设置
外部反馈电阻分压器小心地放在对面
的输出，如图6所示的稳压输出
电压由下式确定：
R
V
出1
=
0.6V
1
+
B
R
A
3776f
17
