LTC3808
应用S我FOR ATIO
2.0
ρ
T
归一化导通电阻
1.5
1.0
0.5
0
– 50
50
100
0
结温（ ° C）
150
3808 F02
图2。R
DS （ ON）
与温度
这是感应到GND和SW引脚之间。短期
电路电流检测门限
V
SC
设定为约
90MV时IPRG是浮动的（ 60mV的时候IPRG接低电平;
为150mV时IPRG被拉高） 。的N-导通电阻
沟道MOSFET由下式确定：
R
DS （ ON）最大值
=
V
SC
I
SC （ PEAK ）
短路电流限制（I
SC （ PEAK ）
）要大一些
比我
输出（最大）
一些余量，以避免干扰
有峰值电流检测回路。另一方面，在
为了防止过度加热的MOSFET和
从饱和电感，我
SC （ PEAK ）
应小
比其额定电流的最小值。在合理
能的范围是：
I
输出（最大）
＆ LT ;我
SC （ PEAK ）
＆ LT ;我
差饷（ MIN ）
因此，对N沟道MOSFET的导通电阻应该
在以下范围内选择：
V
SC
I
差饷（ MIN ）
＆ LT ;
R
DS （ ON）
＆ LT ;
V
SC
I
输出（最大）
哪里
V
SC
为90MV ， 60mV的或具有150mV的是IPRG
FL oated ，连接到GND或V
IN
分别。
耗散在MOSFET的功率在很大程度上取决于
其相应的占空比与负载电流。当
LTC3808工作在连续模式下，占空比
对于MOSFET是：
14
U
V
OUT
V
IN
V –V
底部的N通道占空比=
IN OUT
V
IN
顶P沟道占空比=
W
U U
该MOSFET的功耗最大输出
目前主要有：
P
顶部
=
V
OUT
I
输出（ MAX） 2
ρ
T
R
DS （ ON）
+
2 V
IN2
V
IN
I
输出（ MAX）的
C
RSS
f
V
IN
– V
OUT
I
输出（ MAX） 2
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
P
BOT
=
两个MOSFET有我
2
- [R损耗和P
顶部
方程
包括一个附加项为过渡损失，这是
最大高输入电压下。底部MOSFET的损耗
是最大的，在高输入电压或短路期间
当底部的占空比为100％。
的LTC3808利用一个非重叠的，抗拍摄开启
通过栅极驱动器的控制方案，以确保所述P
和N沟道MOSFET的同时不接通
时间。为了正常工作，控制方案要求
所使用的MOSFET适用于DC / DC转换
应用程序。许多功率MOSFET ，特别是P-信
NEL MOSFET时，意在被用来作为静态开关
因此很慢打开或关闭。
合理的起始准则选择的P沟道
MOSFET的是，它通常必须有一个栅极电荷（Q
G
)
不到25NC为30nC （在4.5V
GS
）和关断延时
(t
D（关闭）
）小于约140ns 。然而，由于
在各种测试和规范方法的不同
MOSFET制造商，并在Q中的变化
G
和
t
D（关闭）
与栅极驱动（V
IN
）电压时， P沟道MOSFET
最终，应在实际LTC3808来评价
应用电路，以确保其正常工作。
直通P沟道和N沟道之间
的MOSFET可以很容易地通过监测被发现
输入电源电流。当输入电源电压IN-
折痕，如果显着的输入电源电流的增加，
那么可能的原因是直通。请注意，某些
的MOSFET不高输入电压下很好地工作（如
3808f
