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LTC3733/LTC3733-1
应用S我FOR ATIO
输出电压将通过根据所述VID码被设置
到表1中。
在上行路上， MOSFET的功耗可
估计。使用仙童FDS6688例如R
DS （ ON）
= 7MΩ ，C
磨坊主
= 15nC / 15V = 1000pF的。在最大输入
电压与T（估计）= 50℃ ：
P
主
≈
1.8 V
(
15
)
2
1
+
(
0.005
)(
50
°
C
25
°
C
)
20 V
2
45A
0.007
+
(
20
)
(
2
)(
1000pF
)
2
)(
3
)
(
1
1
+
(
400kHz
)
=
2.2W
5V – 1.8 V 1.8 V
由同步最坏情况下的功耗
下在升高的正常操作条件下的MOSFET
环境温度和估计的50 ° C的结温
perature崛起是：
P
SYNC
=
20 V
1.3V
(
15A
)
2
(
1.25
)(
0.007
)
=
1.84W
20 V
[
甲地短路将导致折回电流
中：
25mV
1
150ns
(
20 V
)
I
SC
≈
+
=
7.5A
(
2
+
3
)
m
2
0.6
H
带R的典型值
DS （ ON）
和D = （ 0.005 / ° C） （ 50 ° C） =
0.25 。消散在底部MOSFET所产生的力量
是：
P
SYNC
= (7.5A)
2
(1.25)(0.007)
≈
0.5W
这是正常的，满负荷的不到三分之一
条件。顺便提及，由于负载不再耗散
馅饼任何电源，系统总功耗降低超过
90％。因此，该系统实际上冷却显著
在短路条件！
PC板布局清单
当布置在印刷电路板上，下面的
清单应被用来确保正确操作
24
U
IC 。这些项目中的布局还示出图形
图10.检查示意图如下，在PC的布局：
1 ）是信号和电源接地路径隔离？守
SGND在印刷电路路径的一端，从而防止
MOSFET电流从下IC行驶。该IC的信号
接地引脚应使用挂钩所有的控制电路
在所述IC的一侧上，通过SGND路由的铜，
根据上述IC覆盖包装的“影子” ，连接 -
荷兰国际集团的PGND引脚，然后继续到（ - ）板
的C
IN
和C
OUT
。在V
CC
去耦电容应
置于紧邻V的集成电路
CC
针
和PGND 。该X7R或X5R型的1μF的陶瓷电容
是足够小以适合非常靠近IC ，以尽量减少不良
的大电流脉冲的影响绘制以驱动底部
的MOSFET。另外一个5μF到陶瓷电容，钽电容10uF的
或其他低ESR电容建议或 -
德以保持内部的IC供应安静。电源地
返回到所述底部的N沟道MOSFET的源极，
（ - ）的C板的肖特基二极管和阳极
IN
，这
应该有短引线长度越好。
2 ）是否与该IC
+
引脚连接到C的（ + ）板
OUT
?
之间的一个30pF的到300pF电容前馈
DIFFOUT和EAIN引脚应放在尽可能接近
可以给IC 。
3 ）是SENSE
–
和SENSE
+
印刷电路痕迹
每个通道路由与最小PC跟踪
间距？ SENSE之间的滤波器电容
+
和SENSE
–
每个通道应尽可能接近的销
IC的。连接SENSE
–
和SENSE
+
引脚到焊盘
感测电阻器的，如图11 。
4 ）做C的（ + ）板
IN
连接的排水管
上部的MOSFET尽可能地？该电容
提供给MOSFET上的脉冲电流。
5 ）保持开关节点，开关，升压和TG
远离敏感的小信号节点。理想情况下，
开关，升压和TG印刷电路走线应
路由路程，从IC的“安静”侧分离
IC的。
6）在I之间的滤波电容
TH
和SGND引脚
应尽可能靠近IC的管脚。
W
U U
]
3733f
