LT3782
应用S我FOR ATIO
功率MOSFET选择
为功率MOSFET重要参数包括
漏极 - 源极击穿电压（BV
DSS
） ，所述阈值
老电压（V
GS （ TH）
） ，导通电阻（R
DS （ ON）
）与
栅极 - 源极电压，栅极 - 源极和栅极 -
漏极电荷（Q
GS
和Q
GD
分别），最大
漏电流（I
D（最大）
）和MOSFET的热电阻
可用距离（R
TH （JC）
和R
日（ JA ）
).
的栅极驱动电压由10V GBIAS调节器设定。
因此，在额定10V的MOSFET ，需要在最
高电压的LT3782应用。
密切关注BV
DSS
特定网络阳离子的
相对于在最大实际开关电压的MOSFET
该应用程序。该交换节点可在开启时响
关由于布局寄生MOSFET的。检查
穿过直接切换MOSFET的波形
使用实际的PC板漏极和源极端lay-
出（不只是在实验室实验电路板！ ）的过度振荡。
计算功率MOSFET的开关和传导
损耗和结温
为了计算功率的结温
的MOSFET ，由该装置所消耗的功率必须
众所周知的。这种功耗的职责功能
周期中，负载电流和结温本身
（由于其R的正温度系数
DS （ ON）
).
其结果是，一些迭代计算，通常需要
以确定一个合理的准确值。应谨慎
为确保该转换器能够提供的
在所有工作条件所要求的负载电流
（线电压和温度） ，而对于最坏情况下的
规格为V
SENSE （ MAX）
和R用
DS （ ON）
的
MOSFET制造商的数据表中列出。
ρ
T
归一化导通电阻
10
U
由MOSFET在两相升压功率耗散
转换器：
W
U
U
P
FET
I
O（最大值）
2
=
R
DS （ ON）
D
ρ
T
1 – D
)
(
I
O（最大值）
2
2
+
K = V
O
C
f
(
1– D
)
RSS
2
上面的第一个网络术语公式中代表我
2
R
在该装置的损失，和第二项中，切换
损失。的常数，k = 1.7 ，是一个经验因子
负相关的栅极驱动电流，并具有
尺寸1 /电流。该
ρ
T
长期占
所述的R温度系数
DS （ ON）
MOSFET的，
这通常是0.4 ％/ ℃。图4示出的杂物 -
归一化的R重刑
DS （ ON）
在整个温度范围为典型的
功率MOSFET 。
2.0
1.5
1.0
0.5
0
– 50
50
100
0
结温（ ° C）
150
3782 F06
图4.归
DS （ ON）
与温度
3782fa
