LTC3720
应用S我FOR ATIO
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，其中，
I
RMS
= I
输出（最大）
/ 2这个简单的最坏情况是
常用的设计，因为即使是显着的
偏差不会提供多少援助。需要注意的是纹波
从电容器制造商的额定电流往往
基于只有两千小时的寿命，这使得它最好
以减免的电容。
C的选择
OUT
主要是由ESR测定
尽量减少电压纹波和负载阶跃要求
瞬变。输出纹波
V
OUT
大约
北临：
1
V
OUT
≤
I
L
ESR
+
8fC
OUT
自
I
L
随着输入电压增加，输出波纹是
最高时的最大输入电压。典型地，一旦血沉
条件被满足时，该电容是足够的
过滤并具有必需的RMS电流额定值。
平行放置的多个电容器，可能需要
满足ESR和RMS电流处理要求。
干钽电容，特殊聚合物，铝电解和
陶瓷电容都可以在表面贴装
包。特种聚合物电容提供非常低的ESR
但具有更低的电容密度比其他类型。
钽电容具有最高的容量密度
但重要的是要对已浪涌仅利用类型
经测试可用于开关电源的使用。铝
电解电容有显著高于ESR ，但
可以在提供对成本敏感的应用中使用
考虑到额定纹波电流和长
长期可靠性。陶瓷电容具有优良的低
ESR特性，但可以有一个高电压系数
可听压电效应。陶瓷的高Q值
与走线电感电容也可导致显
着振荡。当输入电容使用时，必须注意
注意确保从浪涌电流振铃并
切换不会对过电压危害的
电源开关和控制器。为了抑制输入电压
瞬变，添加一个小5μF到50μF铝电解
电容器具有在0.5Ω到2Ω范围内的ESR 。高
U
性能的通孔电容器也可以使用，
但额外的陶瓷电容并联是中建议
谁料，以减少他们的引线电感的影响。
高端MOSFET驱动器电源（C
B
, D
B
)
外部自举电容C
B
连接到升压
销提供栅极驱动电压为顶侧的MOSFET 。
该电容通过二极管D充电
B
从INTV
CC
当交换结点是低的。当顶部MOSFET关
上，所述开关的节点上升到V
IN
和BOOST引脚上升
大约V
IN
+ INTV
CC
。自举电容的需求
存储大约100倍所需的栅极电荷
高端MOSFET 。在大多数应用中一个0.1μF至0.47μF X5R
或X7R电介质电容就足够了。
不连续模式操作和FCB引脚
该FCB引脚决定是否底部MOSFET
仍当电流反向的电感上。绑
高于0.8V的阈值该引脚允许断续
操作，其中底部MOSFET关断时，
电感电流反转。负载电流在其中
目前的挫折和不连续操作DE-开始
暂时搁置于电感纹波电流的幅度和
将随变化为V
IN
。绑下面的FCB引脚
0.8V阈值的势力不断同步操作，
允许电流反向在轻负载和维护
高频操作。
除了提供一个逻辑输入端，迫使连续
应用，FCB引脚提供维持的装置
反激式，当主在经营绕组输出
不连续模式。次级输出电压V
美国证券交易委员会
属于正常
马利设置为通过的匝数比N ，如图4所示
变压器。然而，如果控制器进入断开
连续的模式和停止开关，由于光的主
负载电流，则V
美国证券交易委员会
会下垂。外部电阻
从V分频器
美国证券交易委员会
到FCB引脚设置一个最低电压
V
美国证券交易委员会（ MIN ）
下面这连续操作被强制
直到V
美国证券交易委员会
已升至高于其最低限度。
V
美国证券交易委员会（ MIN ）
R4
=
0.8V
1
+
R3
3720f
W
U U
13
