LTC3416
应用S我FOR ATIO
V
OUT2
R5
SLAVE
V
FB
LTC3416
SGND
R3
R4
V
OUT1
主
轨道
LTC3416
V
FB
R1
R2
SGND
3416 F05
图5.双电压系统的跟踪
软启动
在RUN / SS引脚提供关闭的手段
LTC3416以及用于软启动一个定时器。拉RUN /
低于0.5V SS引脚放置LTC3416的低静态
电流关断状态（我
Q
< 1μA ） 。
软启动逐步提高对我的夹子
TH
。全
电流范围变为可用的I
TH
电压后，
关于我
TH
达到约2V 。在我的夹子
TH
设置
与外部的RUN / SS引脚上的电阻和电容
如在图1a中所示。软启动时间可以
计算通过使用以下公式：
V
IN
t
SS
=
R
SS
C
SS
In
（秒）
V
IN
– 1.8 V
效率方面的考虑
的开关稳压器的效率等于
输出功率与输入功率乘以100 ％分成。这是
分析单独损耗，以确定什么往往有用
是限制性的效率和它的变化会产生
最大的改进。效率可以表示为：
效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L1，L2等是个别的损失以百分数
输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，有两个主要来源通常占多数的
损失： V
IN
静态电流和我
2
损失。
U
在V
IN
静态电流损耗占主导地位的效率
在非常低的负载电流，而我损失
2
损失
支配在培养基中的效率损失，高负荷
电流。在一个典型的效率图，在效率曲线
非常低的负载电流可以是因为实际的误导
掉电是没有结果的。
1. V
IN
静态电流是由于两个部件：
的DC偏置电流在电气特性中给出
istics和内部主开关和同步
开关栅极充电电流。栅极充电电流
从开关的栅极电容结果
内部功率MOSFET开关。每次栅极是
从高再次切换到从低到高，一包
负责dQ的从V移动
IN
到地面。由此产生的
DQ / dt为电流输出的V
IN
这是典型的大
比DC偏置电流。在连续模式下，我
GATECHG
= F （Q
T
+ Q
B
）其中Q
T
和Q
B
是的栅极电荷
内部顶部和底部开关。二者的DC偏置
和栅极电荷损耗正比于V
IN
因而
其效果将是在较高的供应更加明显
电压。
2. I
2
损失由的电阻计算
内部开关，R
SW
和外部电感
L
。在
连续模式下的平均输出电流超欠佛罗里达州
通过电感L的主体之间的“斩”
开关和同步开关。因此，该系列
阻力寻找到SW引脚是两者的功能
顶部和底部的MOSFET
DS （ ON）
和占空比
（直流）如下：
R
SW
= (R
DS （ ON） TOP
）（直流） + P（R
DS （ ON） BOT
）（ 1 - 直流）
第r
DS （ ON）
对于顶部和底部的MOSFET可以
从典型性能得到Characteris-
抽动曲线。因此，为了获得我
2
损失，只需加上R
SW
与R
L
并通过的平方乘以结果
平均输出电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗一般占不到
比总损耗的2％。
在大多数应用中， LTC3416不消耗
多的热量，由于其高英法fi效率。但是，在应用程序
其中， LTC3416在较高的环境温度运行
TURE具有低电源电压和高占空比，如
3416f
W
U U
11
