LTC3808
应用S我FOR ATIO
典型的LTC3808应用电路如图上
为控制图11.外部元件的选择
由负载需求驱动的，并开始与
选择电感器和功率MOSFET 。
功率MOSFET选择
该LTC3808的控制器需要两个外接电源
MOSFET的： P沟道MOSFET的顶面（主）
开关和一个N沟道MOSFET的底部（同步的
理性）开关。主要的选择标准的权力
MOSFET是击穿电压V
BR （ DSS ）
，门槛
电压V
GS （ TH）
上，电阻R
DS （ ON）
，反向传输
电容C
RSS
，关断延时T
D（关闭）
总闸门
电荷Q
G
.
的栅极驱动电压的输入电源电压。自从
LTC3808是专为运行下到低投入
电压，一个子逻辑电平MOSFET （R
DS （ ON）
在保证
V
GS
= 2.5V）是必需的工作接近应用
这个电压。当这些MOSFET采用，确保
该输入电源的LTC3808小于
绝对最大MOSFET V
GS
评级，这是典型的
8V.
P沟道MOSFET的导通电阻是基于所拣选
在所要求的负载电流。最大平均负荷
电流I
输出（最大）
等于峰值电感器电流
减去一半的峰 - 峰值的纹波电流I
纹波
。该
LTC3808的电流比较器监视漏 -
源电压V
DS
顶端P沟道MOSFET ，它的
在SENSE之间的感测
+
和SW引脚。高峰
电感器的电流由电流阈值的限制，通过设置
在I上的电压
TH
目前比较器引脚。该
电压在I
TH
引脚在内部钳位，这就限制
最大电流检测门限
V
SENSE （ MAX）
to
大约125mV时IPRG是浮动（一个85mV时，
IPRG接低电平; 204mV的时候IPRG被拉高） 。
输出电流的LTC3808可以提供给定
方式：
I
输出（最大）
=
V
SENSE （ MAX）
I
纹波
–
R
DS （ ON）
2
U
在那里我
纹波
是电感峰 - 峰纹波电流
（见电感值计算） 。
一个合理的起点设置纹波电流I
纹波
成为余40％
输出（最大）
。重新整理以上方程
收益率：
W
U U
R
DS （ ON）最大值
=
5
V
SENSE （ MAX）
为占空比
＆ LT ;
20%
6
I
输出（最大）
然而，对于上述操作20 ％的占空比，坡
补偿，必须考虑到选择
R的相应值
DS （ ON）
以提供所需的
量的负载电流：
R
DS （ ON）最大值
=
V
SENSE （ MAX）
5
= SF =
6
I
输出（最大）
其中SF是一个比例因子从获得其值
曲线在图1中。
这些必须进一步降低以兼顾
显著变化的导通电阻与温度。
下面的等式是用于确定一个好的导
所需的R
DS （ ON）最大值
在25℃ （制造商的规定
化） ，从而允许一定的余量的变化的LTC3808
和外部组件的值：
R
DS （ ON）最大值
=
V
SENSE （ MAX）
5
0.9 SF
6
I
输出（最大）
ρ
T
该
ρ
T
是归一化项占温
TURE变化的导通电阻，这是典型地约
为0.4％ / ℃，如示于图2结到壳体温度
TURE牛逼
JC
为约10 ℃，在大多数应用中。对于马克西
妈妈的环境温度为70 ℃，使用
ρ
80°C
1.3
上面的等式是合理的选择。
N沟道MOSFET的导通电阻是基于所拣选
在短路电流限制（我
SC
） 。该LTC3808的
短路电流限制比较器监视漏极
至源极电压V
DS
底部的N沟道MOSFET的，
3808f
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