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LTC3406B
应用S我FOR ATIO
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，有两个主要来源通常占多数的
在LTC3406B电路损耗： V
IN
静态电流和我
2
R
损失。在V
IN
静态电流损耗占主导地位
效率损失在非常低的负载电流，而余
2
R
损失占主导地位，在培养基中的效率损失，高负荷
电流。在一个典型的效率图，在效率曲线
非常低的负载电流可以是因为实际的误导
功率丢失是无关紧要的，如图4 。
1
VIN = 3.6V
0.1
功率损耗（ W）
0.01
VOUT = 2.5V
VOUT = 1.8V
VOUT = 1.2V
0.001
VOUT = 1.5V
0.0001
0.1
1
10
100
负载电流（mA ）
1000
3406B F04
图4.电源失落与负载电流
1. V
IN
静态电流是由于两个部件：
的DC偏置电流在电气特性中给出
istics和内部主开关和同步
开关栅极充电电流。栅极充电电流
从开关的栅极电容结果
内部功率MOSFET开关。每次栅极是
从高再次切换到从低到高，一包
充电，DQ ，从V移动
IN
到地面。由此产生的
DQ / dt为电流输出的V
IN
即通常大于
的DC偏置电流。在连续模式下，我
GATECHG
=
F（ Q
T
+ Q
B
）其中Q
T
和Q
B
是的栅极电荷
内部顶部和底部开关。二者的DC偏置和
栅极电荷损耗正比于V
IN
因而
其效果将是在较高的供应更加明显
电压。
10
U
2. I
2
损失由的电阻计算
内部开关，R
SW
和外部电感
L
。在
连续模式下，平均的输出电流流过
通过电感L的主体之间的“斩”
开关和同步开关。因此，该系列
阻力寻找到SW引脚是两者的功能
顶部和底部的MOSFET
DS （ ON）
和占空比
（直流）如下：
R
SW
= (R
DS （ ON） TOP
）（直流） + P（R
DS （ ON） BOT
）（ 1 - 直流）
第r
DS （ ON）
对于顶部和底部的MOSFET可以
从典型性能特点酒色获得
曲线。因此，为了获得我
2
损失，只需加上R
SW
to
R
L
和由平均的平方相乘的结果
输出电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗一般占不到
超过2 ％的总附加损耗。
散热注意事项
在大多数应用中LTC3406B不消耗
多的热量，由于其高效率。但是，在应用程序
其中， LTC3406B在较高的环境温度运行
TURE低电源电压和高占空比，这种
作为辍学，散发的热量可能超过马克西
该部分的妈妈结温。如果结
温度达到约150℃时，两个电源
开关将被关闭和SW节点将变为
高阻抗。
避免LTC3406B超过最大
结温度时，用户将需要做一些
热分析。热分析的目标是
确定所消耗的功率是否超过了
的部分的最大结温。该温度
TURE上升由下式给出：
T
R
= (P
D
)(θ
JA
)
其中，P
D
是功率消耗的调节器和
θ
JA
是从模具的交界处的热阻
环境温度。
3406bfa
W
U U
