LTC3780
应用S我FOR ATIO
（开关B和C在图1中示出）。重要参数
用于功率MOSFET是击穿电压V
BR ， DSS
,
阈值电压V
GS ， TH
上，电阻R
DS （ ON）
，反
传输电容C
RSS
和最大电流I
DS （ MAX）
.
的驱动电压由6V INTV设置
CC
供应量。形成机制
吸收的敷料，逻辑电平阈值的MOSFET ，必须在使用
LTC3780的应用程序。如果输入电压预期
低于5V，那么子逻辑阈值的MOSFET
应予以考虑。
为了选择功率MOSFET ，功率耗散
由设备pated必须是已知的。对于交换机A的
最大功耗发生在升压模式下，
当它仍保持在所有的时间。其最大功率
耗散在最大输出电流由下式给出：
V
P
A， BOOST
=
OUT
I
输出（最大）
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
2
哪里
ρ
T
是归一化因子（统一在25℃下）问责
荷兰国际集团的显著变化的导通电阻与
温度，通常为约0.4 ％/℃ ，如图图 -
URE 9. 125 ° C的最高结温，
使用值
ρ
T
= 1.5是合理的。
交换机B在降压模式工作的同步
整流器器。其功率在最大输出电流耗散
由下式给出：
P
B， BUCK
V –V
=
IN OUT
I
OUT(MAX)2
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
2.0
ρ
T
归一化的导通电阻（ Ω ）
1.5
1.0
0.5
0
–50
图9.归
DS （ ON）
与温度
3780f
18
U
交换机C的工作在升压模式控制开关。其
在最大电流耗散功率由下式给出：
P
C， BOOST
=
W
U U
(
V
OUT
– V
IN
)
V
OUT
I
V
IN2
+
K = V
OUT3
2
输出（最大）
ρ
T
R
DS （ ON）
I
输出（最大）
C
RSS
f
V
IN
其中C
RSS
通常由MOSFET指定制造
商。常数k ，其占所造成的损失
由反向恢复电流，反比于
栅极驱动电流，并且具有1.7的经验值。
对于开关D ，最大功耗发生在
升压模式中，当它的占空比高于50％ 。其
在最大输出电流最大功率耗散
由下式给出：
P
D， BUCK
V
=
IN
V
OUT
V
OUT
I
输出（最大）
ρ
T
R
DS （ ON）
V
IN
2
对于相同的输出电压和电流，开关A的
最高功率耗散和交换机B具有最低
功耗除非发生短路时的输出。
从已知的功率消耗在功率MOSFET ，其
可以使用下面得到的结温
公式：
T
J
= T
A
+ P R
日（ JA ）
50
100
0
结温（ ° C）
150
3780 F09
