LTC3808
应用S我FOR ATIO
105
归一化电压或电流（ ％ ）
100
95
90
85
80
75
V
REF
最大
检测电压
2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0
输入电压（ V）
3808 F10
V图10.线路调整
REF
和最大检测电压
低输入电源电压
虽然LTC3808可以起到降低到低于2.4V ，
最大允许输出电流减小为V
IN
减小到低于3V 。图10示出的量
变化作为供给减小到2.4V 。也显示
是V的影响
REF
.
最小导通时间的思考
最小接通时间t
开（分钟）
是时间的最小量
该LTC3808可转动顶端P沟道
MOSFET上。它是由内部的定时延迟确定的和
所需要的栅极电荷开启高端MOSFET 。低
占空比和高频率的应用可能接近
导通时间限制和应注意，以最小
确保：
t
开（分钟）
＆ LT ;
V
OUT
f
OSC
V
IN
如果占空比低于什么可以被容纳
的最小导通时间，该LTC3808将开始跳
周期（除非强制连续模式被选中） 。该
输出电压将继续进行调节，但波纹
电流和纹波电压将增加。最小导通
时间为LTC3808通常为约210ns 。不过，
作为峰值检测电压（我
L（峰）
R
DS （ ON）
）减少，
最小接通时间逐渐增加直至约
260ns 。这是特别值得关注的强制连续
应用低纹波电流在轻负载。如果强行
连续模式被选择和下方的占空比下降
最小导通时间的要求，输出将是
通过过压保护调节。
U
效率方面的考虑
的开关稳压器的效率等于
输出功率与输入功率乘以100 ％分成。这是
分析单独损耗，以确定什么往往有用
被限制了效率并改变会产生
大多数的改进。英法fi效率可以表示为：
效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L1，L2等是个别的损失以百分数
输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数的
在LTC3808电路损耗： 1） LTC3808 DC偏置电流，
2 ） MOSFET栅极充电电流， 3 ）I
2
损失和
4 ）转换损耗。
1） V
IN
（销）电流是直流供电电流，在给定的
电气特性，其中不包括MOSFET
驱动电流。 V
IN
电流导致一个小的损失即
与V增加
IN
.
2 ） MOSFET的栅极电荷开关目前的结果
功率MOSFET的栅极电容。每次一
MOSFET栅极从低切换到高再低，一
电荷dQ的数据包从SENSE移动
+
到地面。该
导致DQ / DT是电流从感
+
，这是
通常比DC电源电流大得多。在
连续模式下，我
GATECHG
= F Q
P
.
3) I
2
损失由的直流电阻计算
MOSFET，电感器和/或检测电阻。在连续
模式，通过L时的平均输出电流FL OWS但
顶端P沟道MOSFET和之间的“斩波”
底部的N沟道MOSFET 。该MOSFET
DS （ ON）
和/或
感测电阻器的乘以占空比的电阻
可以为L的电阻以获得予求和
2
R
损失。
4 ）转换损耗适用于外部MOSFET和
以更高的工作频率和输入电压增加
老少皆宜。转换损耗可以从估算：
过渡损耗= 2 V
IN2
I
O（最大值）
C
RSS
f
其他损失，包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗，一般占不到
超过2 ％的总附加损耗。
3808f
W
U U
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