LT3724
应用S我FOR ATIO
为了实现最大的效率，最大限度地减少
DS （ ON）
和C
RSS
。低
R
DS （ ON）
最大限度地减少传导损耗，而低C
RSS
最大限度地减少了转换损耗。问题是在于R
DS （ ON）
反比至C
RSS
。平衡的转换损耗
与导通损耗是大小的一个好主意
MOSFET。选择MOSFET来平衡两负。
计算MOSFET的最大导通损耗：
V
P
COND
=
(I
输出（ MAX）的
)
2
OUT
(R
DS （ ON）
)
V
IN
需要注意的是R
DS （ ON）
具有大的正温度依赖新生
置信。 MOSFET制造商的数据表中包含
曲线，R
DS （ ON）
与温度。
计算最大转换损耗：
P
TRAN
= （ K） （V
IN
)
2
(I
输出（最大）
)(C
RSS
)(f
SW
)
其中，k是常数反比于栅极驱动器
目前，以k = 2 LT3724应用近似。
MOSFET的总的最大功率耗散
这两个损耗项之和：
P
FET （ TOTAL ）
= P
COND
+ P
TRAN
为了达到高电源EF网络效率，保持P
FET （ TOTAL ）
to
比总输出功率的3％以下。另外，完成一个
热分析，以确保MOSFET的结
温度不超标。
T
J
= T
A
+ P
FET （ TOTAL ）
θ
JA
哪里
θ
JA
是封装热阻和T
A
为
环境温度。保持计算牛逼
J
以下
最大规定的结温度，通常为150 ℃。
需要注意的是当V
IN
高，则转换损耗可
占主导地位。具有较高的R A MOSFET
DS （ ON）
和较低的
RSS
可以提供更高的EF网络效率。的MOSFET具有更高的电压
年龄V
DSS
特定网络阳离子通常有较高的R
DS （ ON）
和
LOWER
RSS
.
选择MOSFET V
DSS
特定网络阳离子超过
跨越漏极最大电压的源极
的MOSFET ，其为V
IN （MAX）
加上任何附加振铃
开关节点。铃声开关节点上可以大大
降低具有良好的PCB布局，如果需要，一个RC
缓冲。
U
内部V
CC
稳压器工作范围限制
最大总MOSFET的栅极电荷，Q
G
，为90nC 。在Q
G
VS V
GS
说明书中通常在MOSFET提供
数据表。用Q
G
在V
GS
的8V 。如果V
CC
又回来了，从驱动
外部电源时， MOSFET的驱动电流不
从LT3724和内部稳压源的
Q
G
在MOSFET的是不是通过在IC的限制。但是，请注意
该MOSFET的驱动电流由内部供给
稳压器，当外部电源背面驾驶V
CC
不
可用如启动或短路时。
制造商的最大连续漏极电流
特定网络阳离子超过峰值开关电流，
I
输出（最大）
+
I
L
/2.
在供给启动时，栅极驱动电平被设定
在V
CC
电压调节器，这大约是8V 。
一旦供应和运行，在V
CC
可回来
由一个辅助电源如V驱动
OUT
。重要的是
不超过制造商的最大V
GS
规范
化。一个标准的电平阈值MOSFET通常具有
V
GS
最高20V的。
降压型转换器：整流器器的选择
该整流器器二极管（ D1的功能框图）在
降压转换器产生的电流路径的电感
当前，当主电源开关是关闭的。该
整流器器是根据正向电压选择，重新
诗电压和最大电流。肖特基二极管
推荐使用。它的低正向电压产生最低
功耗和最高的EF网络效率。最高反向
电压的二极管将看到的是V
IN （MAX）
.
在连续模式工作时，二极管的平均电流
计算在最大输出负载电流和马克西
妈妈V
IN
:
W
U U
I
二极管（AVG）
=
I
输出（ MAX）的
V
IN （MAX）
V
OUT
V
IN （MAX）
为了提高外汇基金fi效率，并提供足够的余量
对于短路操作，二极管的额定在1.5 2倍
最大平均二极管电流，我
二极管（AVG）
，是
推荐使用。
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