LTC1735
应用S我FOR ATIO
电感磁芯的选择
一旦为L的值是已知的，电感器的类型必须是
选择。高效率的转换器一般不能自动对焦
福特在低成本的铁粉芯中发现的铁心损耗，
强制使用更昂贵的铁素体，钼坡莫合金
或者库尔Mμ
内核。实际铁心损耗是独立的
芯尺寸为固定的电感值，但它是非常依赖
在电感选择。由于电感的增加，核心
亏损下去。不幸的是，增加了电感再
线材张塌塌米多匝，因此铜损会
增加。
铁素体的设计具有非常低的磁芯损耗和优选
在高开关频率，因此设计目标可以CON组
滤清铜损耗和防止饱和。铁素体
芯材饱和“硬”，这意味着电感
tance突然崩溃时的峰值电流设计为
超标。这导致电感器的突然增加
纹波电流和由此产生的输出电压纹波。办
不允许该芯饱和！
钼坡莫合金（从磁公司）是一种很不错的，低
损失芯材为环形的，但它比更昂贵
铁素体。从相同的制造一个合理的妥协
商是库尔Mμ 。环形磁芯是非常节省空间，
尤其是当你可以使用丝好几层。如下─
因为他们普遍缺乏的梭芯，安装更
难。然而，对于表面安装设计是可用的
不增加高度显著。
功率MOSFET和D1选择
两个外部功率MOSFET必须选择使用
与LTC1735 ：一个N沟道MOSFET的顶
（主）开关和一个N沟道MOSFET的底部
（同步）开关。
的峰对峰的栅极驱动电平由INTV设置
CC
电压。这个电压通常为5.2V在启动过程中（见
EXTV
CC
引脚连接） 。因此，逻辑电平阈值
老MOSFET必须在最LTC1735应用中使用
系统蒸发散。唯一的例外是当低输入电压是
预计（V
IN
< 5V ） ;然后，分逻辑电平阈值
MOSFET的（V
GS （ TH）
< 3V ）应该被使用。接近支付
注意BV
DSS
规范了MOSFET作为
好;许多逻辑电平的MOSFET被限制为30V
或更小。
12
U
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
DS （ ON）
，反向传输电容C
RSS
,
输入电压和最大输出电流。当
LTC1735是在连续模式中操作的工作循环
对于顶部和底部MOSFET是由下式给出：
V
主开关管的占空比
=
OUT
V
IN
V –V
同步开关的占空比
=
IN OUT
V
IN
该MOSFET的功耗最大输出
电流由下式给出：
2
V
P
主
=
OUT
I
最大
1
+
δ
R
DS （ ON）
+
V
IN
W
U
U
( )( )
K·V
IN
( ) (
I
最大
)(
C
RSS
)(
f
)
2
2
V
IN
– V
OUT
P
SYNC
=
I
最大
1
+
δ
R
DS （ ON）
V
IN
( )( )
哪里
δ
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和K
是一个常数成反比关系的栅极驱动电流。
两个MOSFET有我
2
损失，而上部
N沟道方程包括一个附加项为跃迁
灰的损失，这是最高的，在高输入电压。为
V
IN
< 20V高电流效率普遍提高
具有较大的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V的转换
损失急剧增加的点，使用较高
R
DS （ ON）
器件具有较低的
RSS
实际上提供了更高的
效率。同步MOSFET的损耗是最大的
在高输入电压或短路期间，当
占空比在这个开关是接近100％。
术语（1+
δ)
在MOSFET的一般定
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的曲线，但
δ
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。
RSS
通常是在规定的
MOSFET的特性。常数k = 1.7可以
用于估计在这两个词的贡献
主开关损耗公式。
库尔Mμ是磁，Inc.的注册商标。
