LTC1730-4/LTC1730-4.2
应用S我FOR ATIO
最终的充电（ C / 10 ）
的LTC1730包括一个比较器来监测职责
周期在GATE引脚检测近端-的充电
条件。当占空比低于10％，则
比较旅行和关闭N-MOSFET的CHRG
引脚和开关处于弱势（ 40μA ）电流源
地面上。充电结束的比较器在停用
涓流充电模式。
内部晶体管
一个N沟道MOSFET （ 0.35Ω ）被包括在所述LTC1730
作为传输晶体管。该MOSFET的栅极所配置
由内部电荷泵控制。所述主体连接
到地，而不是源终端。没有身体
从BAT引脚回到V二极管
CC
销;因此，无
阻塞二极管，需要在与电池串联或
输入电源。这不仅降低了成本，而且还
发生在快速充电模式时的热量。内部
热关断电路关断传输晶体管，如果
芯片温度超过140°C左右有
5 ° C的热迟滞。
栅极驱动器
传输晶体管的栅极驱动器由一个管制的10μA
电流源电荷泵。一系列的RC网络
从GATE引脚与V所需
CC
引脚。当通
晶体管导通时，该电压在V
CC
脚开始
回转下降到等于V的电压
BAT
加电压
跨导通晶体管和R落
SENSE
。压摆率
等于10μA / C 。通过抬高V
CC
脚慢慢放下，
浪涌电流被减小。串联的电阻器与
电容是必需的，以限制瞬时电流时
输入电源是首次应用。
当电荷泵处于关闭状态，一个40μA电流
源地开始拉低栅极电压下降。
一旦旁路晶体管关断时，在V的电压
CC
针
开始回转与速度等于40μA / C 。与此
外部电容器，在V的电压
CC
脚在斜坡
以受控的方式（图2） 。
对于高电流应用的外部电源N-MOSFET
可以并联连接在内部通晶体管
器。因为电荷泵的输出被钳位到12V
V
CC
40A/C
门
电压
10A/C
U
10A/C
40A/C
10A/C
40A/C
1730 TA02
W
U
U
图2.压摆率，在GATE和V
CC
引脚
与RC网络，从门到V
CC
上述V
BAT
，外部N-MOSFET的栅源突破性
下电压应在额定20V以上。
电池温度检测
负温度系数（ NTC ）热敏电阻某一地址
cated靠近所述电池组可以被用来监控
电池温度也不会允许收费，除非
电池温度在可接受的范围之内。连
地面和NTC / SHDN引脚之间的热敏电阻为10kΩ
并且从NTC / SHDN引脚连接到V一个4.1k的电阻
CC
。如果
温度上升到50 ℃时，热敏电阻的电阻
将约为4.1kΩ （戴尔NTHS - 1206N02 ）和
该LTC1730将进入保持模式。冷温
Tures的，对保持模式下的阈值是在0℃ （注册商标
NTC
≈
28kΩ ） 。通晶体管截止，计时器被冻结
在保持模式，而在CHRG引脚输出状态
保持相同。在充电周期开始或恢复
一旦温度在可接受的范围之内。
散热注意事项
功率处理能力是由最大的限制
额定结温（125℃ ）和PC的量
用作散热片板的铜。由所消耗的功率
该装置由两部分组成：
1.输入电源电流乘以输入电压
2.通过交换机（ SENSE引脚上的电压降BAT
销）乘以充电电流
该LTC1730具有内部热关断设计
保护IC免受过热情况。用于信号
在快速充电模式下连续的充电，最大
结温度不得超过。重要的是
向热所有来源慎重考虑
从结电阻至环境温度。其他热源
附近安装也必须考虑。
1730f
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