LTC1700
应用信息
功率MOSFET选择
该LTC1700需要两个外部功率MOSFET ， 1
用于主开关（ N沟道）和一个用于同步的
理性整流器（ P沟道） 。由于电压操作
的LTC1700的范围被限制到小于6V时，
MOSFET的击穿电压是不是一个问题。
因此，应使用的MOSFET的参数
用于选择所述功率MOSFET的阈值电压
V
GS （ TH）
上，电阻R
DS （ ON）
，反向传输电容
tance
RSS
和最大电流I
D（最大）
.
栅极驱动电压是由输出电压V设定
OUT
.
由于LTC1700退出启动模式为2.3V ，分
逻辑电平MOSFET的阈值应LTC1700使用
应用程序。新的MOSFET具有保证
DSON
at
1.8V的栅极电压，现已并会工作得
很好地与LTC1700 。
导通电阻的MOSFET管是基于所选择的
所需的负载电流。的最大平均输出
电流I
O（最大值）
是：
I
O（最大值）
= (I
PK
- 0.5ΔI ）（ 1 - 直流）
其中：
I
PK
- 峰值电感电流
I
=电感纹波电流
DC =占空比
峰值电感电流本质上是限制在一个
电流模式控制器。最大V
DS
检测电压
主MOSFET的年龄限制至78mV 。该LTC1700
不会允许峰值电感电流超过78mV的/
R
DS （ ON） （ N沟道）
。下列方程是一个好的
指导，用于确定所需的R
DS （ ON） （ MAX ）
，从而允许
荷兰国际集团的一些利润率纹波电流，电流限制和
变化的LTC1700和外部组件val-
UE的：
5.0
4.5
最大输出电流（ A）
ρ
T
归一化导通电阻
R
DS （ ON） （ MAX ）
V
SENSE
I
O（最大值）
1
+
I
L
ρ
T
1 - 2 DC
( )
8
U
W
U
U
25 ° C的工作条件，设置
V
SENSE
= 65mV 。为
该变化在整个温度范围内的条件下，设置
V
SENSE
= 55mV 。
该
ρ
T
被归一化的术语占显著
变化在研发
DS （ ON）
同温度，一般约
0.375 ％/℃ ，如图2结到外壳温
perature牛逼
JC
大约是10 ℃，在大多数应用中。对于
最高环境温度为70 ℃，使用
ρ
80°C
1.2
在上面的等式是合理的选择。这个等式
绘于图3中说明的依赖
R上的最大输出电流
DS （ ON）
假设
I
= 0.4I
O（最大值）
.
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1700 F02
图2。R
DS （ ON）
与温度
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
R
DS （ ON）
(m)
1700 F03
占空比= 10 ％
占空比= 50 ％
占空比= 80 ％
图3.最大电流与
DS （ ON）
电源由主同步和消散
MOSFET的取决于各自的占空比和
