LTC1255
应用S我FOR ATIO
敏感的电气负载。 （电阻器R2和二极管
D1 ，提供的LTC1255保护的直接路径
电路，以迅速的情况下排出的栅极
过流条件。 ）
RC网络，R
延迟
和C
延迟
，串联在
漏感输入应该被设置为跳闸基于所述
起动后的负荷，即，具有预期特性
该电路中，也可以驱动一个大电容负载
仍然迅速作出反应，过电流状况。该
斜坡在开关的输出速率，因为它升空地面
大约是：
的dV / dt = （V
门
– V
TH
)/(R1
×
C1)
因此，在电流流入电容器
启动大约是：
I
启动
= C
负载
×
dv / dt的
使用图3中所示的值，启动电流是
小于100mA ，并没有误触发的漏感
电路，该电路被设置在2.7A与1ms的延迟。
灯负载
该浪涌电流通过电灯创建过程中开启即可
比额定工作电流大10至20倍。
在图4所示的电路将这个电流限
一个短周期1（至30A ） ：阈值上升了11倍
的时间，则在灯泡被接通。电流限制再
下降到2.7A之后，浪涌电流有所消退。
12V
10k
100k
V
S
DS1
1/2 LTC1255
IN1
GND
G1
1M
VN2222LL
0.1F
9.1V
12V/1A
灯泡
LTC1255 F04
标准化延迟时间（ 1 = RC ）
+
470F
R
SENSE
0.036
图4.灯驱动器，延迟保护
8
U
选择R
延迟
和C
延迟
图5是归一化的过流关闭的曲线图
时间与归一化MOSFET的电流。此图是
用于选择两个延迟部件中，R
延迟
和
C
延迟
，从而弥补之间的一个简单的RC延迟
漏感测输入，漏极感应电阻。
该图的Y轴是归一化到1 RC时间
常数。 X轴是归一化至设定电流。
（该组电流被定义为所需的电流
100mV的发展在整个漏检测电阻）。
注意，关闭时间短于增大
MOSFET的电流的水平。这保证了总
能量由MOSFET消散总是内
范围由制造商为安全运行建立
化。 （见MOSFET的数据表进行进一步S.O.A.
信息）。
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
归一化MOSFET电流（ 1 = SET CURRENT ）
LTC1255 F05
W
U U
图5.标准化延迟时间与电流MOSFET
使用加速二极管
MTP3055EL
另一种方式，以减少的时间的量
功率MOSFET处于短路状态，是
“搭桥”用小信号二极管作为延时电阻
在图6所示的二极管将接合时的降
整个漏检测电阻超过约0.7V ，
提供一个直接的路径检测引脚，并显着
减少的时间量在MOSFET处于
过载状态。漏检测电阻值
选定以限制最大直流电流4A 。
