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LTC1159/LTC1159-3.3/LTC1159-5
PI FU CTIO S
V
IN
:
主电源输入引脚。
S- GND ：
小信号地。必须单独布线
从其他理由的（ - ）C端
OUT
.
P- GND ：
驱动电源的理由。连接的N-源
沟道MOSFET和（ - ）的C末端
IN
.
V
CC
:
内部4.5V线性稳压器， EXTV输出
CC
开关和电源输入，用于驱动和控制电路。
所述驱动器和控制电路从较高电
该4.5V调节器或EXTV的
CC
电压。必须密切
去耦至电源地。
C
T
:
外部电容C
T
从这个引脚到地设置
工作频率。 （该频率也依赖于
比率V
OUT
/V
IN
.)
I
TH
:
增益放大器分离点。目前的COM
器门限时增大与我
TH
引脚电压。
V
FB
:
对于LTC1159可调版本的V
FB
针
从一个外部电阻性接收反馈电压
分频器用于设置输出电压。
SENSE
–
:
连接到内部电阻分压器，其中规定
输出电压固定输出版本。感
–
针
也是（ - ）的电流比较器的输入端。
SENSE
+
:
在（ + ）输入的电流比较。一个内置
在这个意义之间的偏移
+
和SENSE
–
销，要结合
化使用R
SENSE
，设置当前行的门槛。
N-二门：
高电流驱动的底部N沟道
MOSFET。 N型门销波动，从地面到V
CC
.
P-门：
电平转换栅极驱动信号为顶
P沟道MOSFET 。电压摆幅为P- GATE引脚
从V
IN
到V
IN
– V
CC
.
P-驱动器：
高电流栅极驱动顶部的P沟道
MOSFET。从V的P-驱动引脚（S ）摆幅（ S）
CC
到地面。
CAP ：
电荷补偿引脚。电容器到V
CC
亲
志愿组织的电荷所必需的P-栅极电平漂移电容
在电源的转换。
电荷补偿钙
pacitor必须比栅极驱动器的电容变大。
SHDN1 ：
此引脚仅关闭控制电路（V
CC
不受影响） 。以SHDN1引脚为高电平关断
控制电路，并拥有两个MOSFET关闭。该引脚
必须是在地电位进行正常操作。
SHDN2 ：
主关断引脚。以SHDN2高隔
倒V
CC
和所有的控制电路。
单操作
该LTC1159采用电流模式，恒定关断时间
体系结构来同步地切换的外部对
互补的功率MOSFET 。工作频率为
由一个外部电容器在C设置
T
引脚。
输出电压是由一个内部电压感测的任一
分压器连接到所述感
–
销（ LTC1159-3.3和
LTC1159-5 ）或外部分压器回到了V
FB
针
（ LTC1159 ） 。电压比较器V和增益G座
与一个基准进行比较的分压输出电压
电压1.25V的。为了提高效率，在LTC1159
两种操作模式之间自动切换，
脉冲串和连续的。
低压差4.5V稳压器提供工作电压
年龄V
CC
为MOSFET驱动器和控制电路
在启动过程中。在正常操作中， LTC1159
家庭权力通过驱动和控制从输出
在EXTV
CC
引脚，以提高工作效率。的N GATE引脚
参考接地，驱动N沟道MOSFET
U
U
U
U
（参见原理图）
门直接。 P沟道栅极驱动器必须被引用
到主电源输入V
IN
，这是由实现
经由内部550K电阻电平移位的P驱动信号
器和外部电容。
在开关为“ON”的周期在连续模式下，
电流比较器C显示器之间的电压
SENSE
+
和SENSE
–
通过一个外部引脚连接
分流在与电感器串联。当电压
跨越分流达到其阈值时，P-门
输出被切换到V
IN
以关断P沟道
MOSFET。定时电容C
T
现在允许
放电在由关断时间控制器确定的速率。
放电电流是由正比于
输出电压来模拟电感电流，这
衰减的速率也是成正比的输出
电压。当定时电容器被放电时，该
N-二门输出为高电平时，导通的N沟道
MOSFET。
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