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LTC1148
LTC1148-3.3/LTC1148-5
应用S我FOR ATIO
电平阈值的MOSFET （V
GS （ TH）
＆ LT ; 2.5V ），具有很强的
推荐使用。该LTC1148 / LTC1148HV系列电源
电压必须总是小于最大绝对
V
GS
对于MOSFET的评级。
最大输出电流I
最大
决定第r
DS （ ON）
要求两个MOSFET 。当LTC1148
系列是在连续模式工作时，的简化
假设可以由该两个MOSFET中的一个是
始终导通的平均负载电流。税
周期为两个MOSFET由下式给出：
V
P -CH占空比=
OUT
V
IN
N-CH占空比=
(V
IN
– V
OUT
)
V
IN
从占空比中所需的R
DS （ ON）
每个MOSFET导
场效应晶体管可以导出：
P- ch R上
DS （ ON）
=
N-二ch R上
DS （ ON）
=
V
IN
(P
P
)
V
OUT
(I
MAX2
)(1 +
δ
P
)
V
IN
(P
N
)
(V
IN
– V
OUT
)(I
MAX2
)(1 +
δ
N
)
其中，P
P
和P
N
在允许的功耗和
d
P
和D
N
是R的温度依赖性
DS （ ON）
.
P
P
和P
N
由效率和/或热来确定
要求（见效率的考虑） 。 （1 + d）为
为一个MOSFET中的归一化形式通常给定
R
DS （ ON）
- 温度曲线，但D = 0.007 / ℃，可
作为近似为低电压的MOSFET。
在图1中仅示出导通的肖特基二极管D1
在2的导通之间的死区时间
功率MOSFET。在生活中D1的唯一目的是为了防止
所述N沟道MOSFET的从导通的体二极管和
在死区时间存储电荷，这可能成本
就像在效率1％ （虽然没有其他
如果D1的有害影响被忽略） 。因此， D1应该是
选择为低于0.7V时的正向电压
我进行
最大
.
10
U
C
IN
和C
OUT
选择
在连续模式下， P沟道MOSFET的源极
为方波的占空比V
OUT
/V
IN
。为了防止大
瞬态电压，低ESR的输入电容的大小为
最大RMS电流必须被使用。最大
RMS的电容器的电流由下式给出：
W
U U
[V
OUT
(V
IN
– V
OUT
)]
1/2
C
IN
需要我
RMS
≈
I
最大
V
IN
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，其中，
I
RMS
= I
OUT
/ 2 。这个简单的最坏情况的COM -
常用的设计，因为即使是显著偏差
系统蒸发散不提供多少援助。需要注意的是电容
制造商的额定纹波电流通常是基于
只有两千小时的寿命。由此，最好进一步
减免电容，还是要选择额定在一个电容器
温度高于所需。始终咨询
制造商如果有任何问题。另外一个0.1μF
为1μF的陶瓷电容，还需要对V
IN
引脚3
高频去耦。
C的选择
OUT
由所需的有效驱动
串联电阻（ESR ） 。
C的ESR
OUT
必须小
除R值的两倍
SENSE
为正确操作
LTC1148系列：
C
OUT
所需的ESR < 2R
SENSE
通过使ESR等于获得最佳效率
与R
SENSE
。作为ESR增大到2R
SENSE
中，
效率下降不到1 ％。如果ESR较大
比2R
SENSE
，输出电容器上的电压纹波
会过早地引发突发模式操作，导致
中断的连续模式和效率命中其中
可以是几个百分点。
制造商，如尼吉康和美国Chemicon公司
应考虑为高性能电容器。
该OS- CON半导体介质电容器可用
三洋有任何铝最低的ESR /尺寸比
电解以稍高的价格。一旦ESR
对于C要求
OUT
得到了满足， RMS电流
评级一般远远超过了我
纹波（P- P）的
要求。
