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LTC1148
LTC1148-3.3/LTC1148-5
应用S我FOR ATIO
LTC1148直流电源电流为160μA为无负载，并
成比例地负载到一个恒定的增加
在LTC1148系列后1.6毫安已进入continu-
OU的模式。由于直流偏置电流是由拉伸
V
IN
，由此造成的损失会增加输入电压。为
V
IN
= 10V的直流偏置的损失一般比1％以下
超过30毫安负载电流。然而，在非常低负载
电流的直流偏置电流占几乎所有的
的损失。
2. MOSFET的栅极电荷开关目前的结果
功率MOSFET的栅极电容。每次一
MOSFET栅极被从低到高分到低分再次切换，
负责包dQ的从V移动
IN
到地面。该
导致DQ / DT是一种电流输出的V
IN
这通常是
比DC电源电流大得多。在连续
模式，我
GATECHG
= F （Q
N
+ Q
P
） 。典型栅极电荷
为0.1Ω N沟道功率MOSFET是25NC ，以及
一个P沟道的两倍左右的值。这导致
I
GATECHG
= 7.5毫安在100kHz的连续运行，为
在2％至3％的典型的中电流损耗在V
IN
= 10V.
注意，栅极电荷损耗直接增加了与
两个输入电压和工作频率。这是
主要的原因，最高的效率电路
工作在中等频率。此外， AR-
对使用较大的MOSFET比要gues
控制I
2
损失，因为矫枉过正可以成本效率
还有钱！
3. I
2
损失容易从直流电阻预测
的MOSFET ，电感器以及电流分流。在continu-
组织单位模式的平均输出电流流过电感
和R
SENSE
但在P沟道之间的“斩波”
和N沟道MOSFET 。如果两个MOSFET都
大致相同的R-
DS （ ON）
中，则电阻
一个MOSFET可以简单地用电阻求和
L和R的可用距离
SENSE
获得我
2
损失。为
例如，如果每个R
DS （ ON）
= 0.1, R
L
= 0.15Ω ，及
R
SENSE
= 0.05Ω ，则总电阻是0.3Ω 。这
导致的损失为3 ％至12％的输出
电流增大，从0.5A到2A 。我
2
损失造成的
效率滚降在高输出电流。
图5显示了效率的损失如何在一个典型的
LTC1148系列调压器最终会被分摊。
效率/损失（ ％ ）
12
U
100
I
2
R
栅极电荷
95
LTC1148我
Q
90
85
80
0.01
0.03
0.3
1
0.1
输出电流（A ）
3
LTC1148 F05
W
U U
图5.效率损失
栅极电荷损失负责，为广大
效率在中间电流区域丢失。如果突发
运作模式是：未使用在低电流时，
栅极电荷损耗孤独会导致效率下降到
不可接受的水平。随着突发模式工作时，
直流电源电流表示独行（和unavoid-
它继续成为一个能）损失部分
较高百分比的输出电流被减小。如
料，我
2
负占据优势，在高负载电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损失， MOSFET的开关损耗，传导肖特基
在死区时间损耗和电感磁芯损耗， gener-
同盟占小于2 ％的总的附加损耗。
设计实例
作为一个设计实例，假设V
IN
= 12V （标称）
V
OUT
= 5V ，我
最大
= 2A，和f = 200kHz的;
SENSE
, C
T
和L
可以立即进行计算：
R
SENSE
= 100mV的/ 2 = 0.05Ω
t
关闭
=（1 / 200kHz的） [ 1 - （ 5/12 ） ] = 2.92μs
C
T
= 2.92s/[(1.3)(10
4
） ] = 220PF
L
民
= 5.1(10
5
） 0.05Ω （ 220PF ） 5V = 28μH
假设MOSFET的耗散是被限定于
P
N
= P
P
= 250mW的。
如果T
A
= 50℃，每个MOSFET的热阻
50 ° C / W ，那么结温将63℃
