LTC1147-3.3
LTC1147-5/LTC1147L
应用S我FOR ATIO
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损失， MOSFET的开关损耗和电感磁芯损耗，
通常占小于2 ％的总的附加损耗。
设计实例
作为一个设计实例，假设V
IN
= 5V （标称值） ，V
OUT
=
3.3V ，我
最大
= 1A ，且f =为130kHz ;
SENSE
, C
T
和L可以
立即进行计算：
R
SENSE
= 100mV的/ 1A = 0.1Ω
t
关闭
=（1 /为130kHz ） [ 1 - （ 3.3 / 5） ] = 2.61μs
C
T
= 2.61s/(1.3)(10
4
） = 220PF
L = (5.1)(10
5
） （ 0.1Ω ） （ 220PF ） （ 3.3V ） = 33μH
假设MOSFET的功耗是被限定于
P
P
= 250mW的。
如果T
A
= 50 ℃，使MOSFET的热阻
50 ° C / W ，那么结温将是63 ° C和
δ
P
= 0.007 （ 63 - 25 ） = 0.27 。在所需的R
DS （ ON）
对于
的MOSFET ，现在可以计算：
P- ch R上
DS （ ON）
=
5(0.25)
= 0.3
3.3(1)
2
(1.27)
P沟道要求可以通过一个Si9430DY得到满足。
请注意，对于肖特基最严格的要求
二极管与V
OUT
= 0 （即，短路）。在一
连续短路，则最坏情况下的肖特基二极管
功耗上升到：
P
D
= I
SC （ AVG ）
(V
D
)
随着0.1Ω检测电阻我
SC （ AVG ）
= 1A将导致，
增加了0.4V的肖特基二极管功耗为0.4W 。
C
IN
至少需要0.5A的RMS电流额定值为
温度，和C
OUT
需要0.1Ω的ESR为
最佳效率。
现在让V
IN
下降到其最小值。在较低的输入
电压的工作频率将减少，并且
P沟道将进行大多数时间，导致
功率耗散增加。在V
IN（分钟）
= 4.5V时，
频率将减少，并且P型沟道将CON组
管道大部分时间导致其功耗为
增加。在V
IN（分钟）
= 4.5V:
图6a 。连续模式操作
T
波形
12
U
f
民
=
1
3.3
= 102kHz
1–
2.61s
4.5
W
U
U
)
)
3.3(0.125)(1A)
2
(1.27)
P
P
=
= 116MW
4.5
这最后的步骤是必要的，以确保电源
P型沟道的耗散和结温是
不超标。
故障排除提示
因为效率是LTC1147系列应用的关键，
这是非常重要的，以验证该电路是否正常
正确的连续和突发模式工作。
在波形监视器上的时序，电压
电容引脚2 。
在连续模式（I
负载
＆ GT ;我
BURST
）在C上的电压
T
针应具有0.9V的锯齿
P-P
摆动。这
电压绝不能沾2V以下，如图6a所示。
当负载电流低（我
负载
＆ LT ;我
BURST
）突发模式
发生的操作。在C上的电压
T
脚现在下降到
地面的时间段在图6b中所示。中
此时LTC1147系列在睡眠模式下的
静态电流降低至160μA 。
电感器电流也应加以监测。展望
验证在连续的峰 - 峰值的纹波电流
模式的操作大致相同，在突发
模式的操作。
3.3V
0V
3.3V
0V
LTC1147 F06
图6b 。突发模式工作
T
波形
如果引脚2 ，观察掉落到地面，在高输出
电流，则说明去耦不良或不当的地面
ING 。是指电路板布局清单。
