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LT1573
应用S我FOR ATIO
电阻R
B
有助于关闭PNP （Q
OUT
在图2中） 。
对R值越小
B
关闭PNP快，但会
增加输入电流。 R的推荐值
B
is
50Ω 。对电路不要求大的输出电流或
快速瞬态响应， R的值
B
可以增加
高达200Ω 。为D45H11 ，发射极 - 基极电压是
基极和集电极电流的函数。表2列出了一些
有用的工作点为D45H11 。这些点是
使用的设备的采样经验确定。
表2. D45H11 V
BE
I
B
（MA ）
1
7
23
45
66
100
I
C
(A)
0.2
1
2
3
4
5
V
BE
在25
°
C
(V)
0.65
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
设计实例
鉴于以下工作要求：
4.5V < V
IN
＆ LT ; 5.5V
I
输出（最大）
= 5A
V
OUT
= 3.3V
1.第一个步骤是确定所需的驱动电流
为D45H11 。电压差必须小于1.2V
在5A的输出电流。从表1中的驱动电流
百毫安会给0.7V压差电压在输出端
电流为5A 。这满足操作要求一
求。
2.下一步是确定R的值
D
。假设
R
B
为50Ω 。从表2中，最大发射极 - 基极
电压为这个设计是0.95V 。电流通过
R
B
是：
I
RB
= V
BE
/R
B
= 0.95 / 50 = 19毫安
V
DRIVE
是驱动销饱和电压时的
DRIVE引脚电流等于119毫安，它可以读取
从典型性能特征曲线
是0.39V 。电阻R
D
现在可以计算
方程（ 1） ：
U
R
D
= （ 4.5 - 0.95 - 0.39 ）V / （ 100 + 19 ）， MA = 26.6Ω
下一个最低的5％的值是24Ω 。
过电流闭锁
除了限制基极驱动电流，该电阻
R
D
被包括在所述电路的过电流保护
锁存关断功能。有最小值为这个
性。据计算由式（1）与所述驱动
电流I
DRIVE
设置为最小可用的驱动电流
（= 250毫安）从LT1573 。在高电流中，R
D
还
限制在LT1573的功率耗散。在一些
的条件下，电阻R
D
可以替换为短。这
有可能在电路中的过载是不可能的
输入电压和驱动器的要求是低的。如果电阻R
D
不包括在所述电路中，调节器被保护
针对过电流状态仅由热
关断功能。经过电阻R
D
被确定时，一个
一定量的基极驱动电流提供给所述
外部PNP晶体管。过流或输出短路
条件将需要一个基极驱动电流比大于
LT1573可提供。该驱动器内部晶体管会
饱和。超时锁存器将这个触发
过电流状态，关闭调节器系统。该
超时时间由外部电容决定
连接插销和GND引脚之间。的时间
出周期等于所花费的电容器到时间
从0V充电到锁存阈值，它等于
2V
BE
。锁存充电电流是由一个内部设置
电流源和输入电压的函数，并且
如图所示的典型性能字符温度
开创性意义的曲线。在25℃下，典型的锁存器的充电电流
从7.2μA的范围与3V输入到8μA与7V的输入。如果
在过流或输出短路情况持续较长
比超时期限，稳压器将被关闭。
否则，稳压器将正常工作。在
锁定模式，一些额外的电流从输入画
保持锁存器。闭锁电流的函数
输入电压和温度中所示的典型
性能特性曲线。在25℃下，典型的
锁存电流范围从0.3毫安与3V输入
9.5毫安有7V的输入。闩锁可通过回收来复位
输入功率，通过接地插销销或通过将
器件关断。
W
U U
9
