LT1375/LT1376
应用信息
请记住，这个过程并不需要初始
元件容差考虑在内。您应该看到相当
所有的负载和线路条件下整洁的反应，以确保
该元件的差异，也不会引起问题。一
这里需要注意：根据墨菲，分量最
有可能在生产中要改变的是输出电容，
因为这是最有可能制造的部件
商的变化（在ESR）的大到足以使概率
题。这将是一个明智之举锁定的来源
输出电容器的生产。
一个可能的例外，以“清洁回应”规则是在非常
轻载时，就证明在图17中与我
负载
= 50毫安。
开关稳压器往往在循环戏剧性的变化
反应在非常轻的负载，主要是因为电感器
电流不连续。一种常见的结果是
很慢，但稳定的特点。第二种可能性
是低相位裕量，就证明了振铃输出
与瞬变。好消息是，低相位
缘在轻负载时，没有特别敏感的COM
分量的变化，因此，如果下一个瞬间看起来合理
测试时，它可能不会在生产中的问题。记
那
频率
在轻负载振荡可能与改变的
元件容差，但相位裕度一般挂在
那里。
热计算
在LT1376芯片的功耗来源于4
来源： DC开关损耗，开关损耗交流，升压电路
电流和输入的静态电流。下面formu-
拉斯显示如何计算每个这些损失。这些
公式假设连续模式操作，所以他们
不应该被用于计算效率在轻负荷
电流。
开关损耗：
P
SW
=
R
SW
I
OUT
静态电流损耗：
( ) (
V
)
+
16ns
(
I
)(
V
)(
f
)
V
2
OUT
OUT
IN
IN
2
升压电流损耗：
P
BOOST
=
V
OUT
0
.
008
+
I
OUT
/
75
V
IN
(
)
U
W
U
U
P
Q
=
V
IN
0
.
001
+
V
OUT
(
)
(
2
V
OUT
0
.
002
0
.
005
+
V
IN
)
(
)
R
SW
=开关导通电阻（ ≈ 0.4 ）
在16ns =等效开关电流/电压重叠时间
F =开关频率
例如：用v
IN
= 10V, V
OUT
= 5V和我
OUT
= 1A:
P
SW
=
( )( ) ( )
+
16 10
(
1
)(
10
)
500 10
10
0.4 1 5
2
9
3
=
0.2
+
0.08
=
0.28W
P
BOOST
( ) (
0.008
+
1/ 75
)
=
0.053W
=
5
2
10
P
Q
=
10 0.001
+
5 0.005
+
(
) (
(
5
) (
0.002
)
=
0.04W
)
10
2
总功耗是0.28 + 0.053 + 0.04 = 0.37W 。
为LT1376封装热阻是由影响
的内部或背面的平面的存在。采用了全
在SO封装平面，热阻会
约120℃ / W 。没有飞机会增加阻力约
160 ° C / W 。为了计算芯片温度，使用正确的
耐热次数为所需的包和
添加在最坏情况下的环境温度：
T
J
= T
A
+
θ
JA
(P
合计
)
与SO- 8封装（ θ
JA
= 120℃/ W） ，在环境
70 ° C的温度，
T
J
= 70 + 120 (0.37) = 114.4°C
模具温度最高在低输入电压，所以使用
最低连续输入工作电压热
计算。
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