LT1186F
典型性能特性
I
CCFL
求和的电压
与温度
0.53
0.52
0.51
0.50
0.49
0.48
0.47
0.46
0.45
0.44
0.43
0.42
0.41
0.40
0.39
0.38
–75 – 50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G07
CCFL V
C
SINK偏置电流（ μA ）
I
CCFL
求和电压（毫伏）
I
CCFL
总结电压（ V）
ΔCCFL
V
C
的电流源
I
CCFL
编程电流
与温度
5.10
ΔCCFL
V
C
的电流源
I
CCFL
编程电流（ μA / μA ）
我（DIO） = 10毫安
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G11
DIO负电压（ V）
5.05
DIO正电压（ V）
5.00
4.95
4.90
4.85
I
CCFL
= 100A
I
CCFL
= 50A
I
CCFL
= 10A
4.80
–75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G10
V
C
以DIO直流伺服
率与温度
CCFL V
C
DIO直流伺服比例（ μA / MA ）
103
CCFL V
C
低钳位电压（ V）
CCFL V
C
高钳位电压（ V）
102
101
100
99
98
97
96
95
–75 – 50 –25
0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G13
我（DIO） = 10毫安
我（DIO） = 1毫安
我（DIO） = 5毫安
ü W
I
CCFL
求和的电压
负载调整率
5
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
–9
–10
0
V
C
沉失调电流
与温度
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
CCFL V
C
= 0.5V
0
–1
–2
–3
–75 – 50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G09
CCFL V
C
= 1.5V
T = -55°C
CCFL V
C
= 1.0V
中T = 25℃
T = 125°C
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
I
CCFL
编程电流（ μA ）
LT1186F G08
正DIO电压
与温度
1.2
1.0
我（DIO） = 5毫安
1.6
1.4
负电压DIO
与温度
我（DIO） = 10毫安
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–75 –50 –25
0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G12
我（DIO） = 5毫安
我（DIO） = 1毫安
我（DIO） = 1毫安
V
C
低钳位电压
与温度
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
–75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G14
V
C
高钳位电压
与温度
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
–75 – 50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
温度（℃）
LT1186F G15
5
