LP2997
典型应用电路
几种不同的应用电路已被证明
说明一些是可能的配置选项
该LP2997 。单个电路性能罐的图
在被发现
典型性能特性
部分
在数据表的开始。这些曲线说明
最大输出电流是如何影响变化
AVIN和PVIN 。
图2
给出了推荐的电路配置
DDR -II的应用程序。输出级被连接到
1.8V轨和AVIN引脚可以连接到任何一个2.5V ，
3.3V或5V电源。
20109413
图2.推荐DDR- II终止
该电路允许以最小量的终止
电路板空间和元件数量。电容可以选择
而变化取决于终止的行数和
最大负载瞬变。然而，与主板
和其他应用程序，其中V
TT
分布在一个长
面最好是使用多个大容量电容和
除了高频去耦。批量输出钙
pacitors应当位于在V的两端
TT
平面
最佳位置。大型铝电解电容器
用于其低ESR和低费用。
V
DDQ
可以远程连接到V连接
DDQ
轨输入
在任的DIMM或芯片组。这提供了
最精确的点来创建基准电压。
4.为了提高散热性能过度顶部
铜应该用于从所述封装散热
年龄。从地面连接到众多的通孔
内部接地层会有所帮助。此外，这些可以是
位于封装下面，如果生产标
dards许可证。
5.护理应该路由V时，应采取
SENSE
追踪到
避免噪声干扰的开关I / O信号。一个0.1uF的
陶瓷电容器位于靠近
SENSE
也可以是
用于过滤任何不需要的高频信号。这
可以是一个问题特别是如果长
SENSE
迹线的使用。
6. V
REF
应该用一个0.01 μF或0.1 μF旁路
陶瓷电容器，用于改善性能。这种钙
pacitor应位于尽可能接近的
V
REF
引脚。
3.
PCB布线注意事项
1.
输入电容器的电轨应该放置
尽可能接近到PVIN销。
2. V
SENSE
应连接至V
TT
终止巴士
在那里监管要求的地步。对于母亲 -
板应用的理想位置是在
中心终止总线。
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