LC86P6449
（ 4 ）工作电源电压
： 4.5V至6.0V
（ 5 ）指令周期时间
：是1.0μs ，以366μs
（ 6 ）工作环境温度
： -30C至+ 70C
（ 7）引脚和封装的LC866400系列掩膜ROM设备兼容
（ 8 ）适用掩膜ROM版本
： LC866448 / LC866444 / LC866440 / LC866436 // LC866432 / LC866428
/LC866424/LC866420/LC866416/LC866412/LC866408
对于使用注意事项
LC86P6449提供的LC866400系列的第一个版本，小运费。
同时采用，采取如下的通知。
（ 1 ）差了点LC86P6449和LC866400系列
项
复位后的操作
释放
LC86P6449
指定了选项，直到3毫秒后
通过将一个“H”电平的复位端
dgrees 。该方案是从执行
00H的程序计数器。
下拉电阻
提供/不提供
未提供
提供（固定）
提供（固定）
未提供
4.5V至6.0V
LC866448/44/40/36/32/28/24/20/16/12/08
该方案是从的执行00H
会后，一个程序计数器立即
“H”电平复位端。
下拉的电阻
下拉电阻
以下引脚
提供/不提供
S0 / T0 - S6 / T6
该选项指定
S7 / T7 - S15 / T15
提供（固定）
S16 – S27
该选项指定
S28 – S37
该选项指定
工作电源
2.5V至6.0V
电压范围（VDD）的
为“L”电平保持Tr的。的
高耐压输入请参考“电气特性”上的半导体新闻。
终奌站
功耗
LC86P6449使用，作为选项的配置是针对在FF00H到FFFFH的程序存储器256个字节
数据区。此选项的配置不能执行该LC866400系列拥有所有的选项。下一步表显示
对应和未对应LC86P6449选项。
一种选择相应的LC86P6449的
一种选项
的输入/输出形式
输入/输出端口
销，电路
端口0
该选项的内容
1. N沟道开漏输出
2. CMOS输出
*1
1.拉MOS Tr的。 proveded
2.拉MOS Tr的。未提供
*2
1.输入：可编程的上拉MOS Tr的。
输出：N沟道开漏
2.输入：可编程的上拉MOS Tr的。
输出： CMOS
1.输入：不可编程的上拉MOS Tr的。
输出：N沟道开漏
2.输入：可编程的上拉MOS Tr的。
输出： CMOS
1.无拉MOS Tr的。
2.拉MOS Tr的。
端口1
*1
端口3
*1
拉MOS Tr的。输入端口的
* 1 ）指定的位
* 2 ）指定的四位单元。
7港
*1
N沟道开漏输出端口没有上拉MOS Tr的..
No.6689-2/22
