LC66P5316
电气特性
在Ta = -30 + 70 ° C，V
SS
= 0 V, V
DD
= 4.0 5.5 V，除非另有规定。
参数
符号
I
IH
1
条件
P2，P3 （除了P33 / HOLD引脚） ，
P61 ， P63和： V
IN
= 10.0 V，与输出
N沟道晶体管关闭
P0，P1， P4，P5， P6，个人电脑，在OSC1 ，和P33 /保持
（不适用于PD ， PE ， PC2和PC3 ） ：
V
IN
= V
DD
与输出N沟道晶体管截止
PD ，PC2，PC3 ， PE0 ， （当用作端口使用;不
当子振荡器选项是不适用
选择） ：V
IN
= V
DD
与输出N沟
晶体管关闭
RES ： V
IN
= V
DD
，操作， HALT模式
RES ： V
IN
= V
DD
，保持模式
PE1 （当作为港口使用;不适用时，
被选择的子振荡器选项） ：V
IN
= V
DD
输入端口比PD ， PE ， PC2 ， PC3及其他：
V
IN
= V
SS
与输出N沟道晶体管截止
PD ， PC2 ， PC3 ， PE0 ： V
IN
= V
SS
,
与输出N沟道晶体管截止
RES ： V
IN
= V
SS
PE1 （当作为港口使用;不适用
当选择了子振荡器选项） ：
V
IN
= V
SS
P2，P3 （除了P33 / HOLD引脚） ，
P6 ， P8 ，和PC ：我
OH
= -1毫安
P2，P3 （除了P33 / HOLD引脚） ，
P6 ， P8 ，和PC ：我
OH
= -0.1毫安
P0, P1, P4, P5
P0，P1， P2，P3， P4，P5， P6 ，P8，和PC
（除了P33 / HOLD引脚） ：我
OL
= 1.6毫安
P0，P1， P2，P3， P4，P5， P6 ，P8，和PC
（除了P33 / HOLD引脚） ：我
OL
= 8毫安
P2，P3， P61 ， P63 ： V
IN
= +7.0 V
并不适用于P2，P3， P61 ， P63 ，和P8 ：
V
IN
= V
DD
P8 ： V
IN
= V
SS
–1.0
V
DD
– 1.0
V
V
DD
– 0.5
30
100
150
0.4
1.5
5.0
1.0
k
V
V
A
A
A
6
6
7
4
5
3
–1.0
–1.0
100
20
10
1.0
1.0
民
典型值
最大
5.0
单位
A
记
1
I
IH
2
1.0
A
1
输入高电平电流
I
IH
3
I
IH
4
I
IH
5
I
IH
6
I
IL
1
I
IL
2
输入低电平电流
I
IL
3
I
IL
4
1.0
A
1
A
A
A
A
A
A
A
1
1
1
2
2
1
1
输出高电平电压
V
OH
1
输出上拉电阻的值
R
PO
V
OL
1
输出低电平电压
V
OL
2
I
关闭
1
关闭输出漏电流
I
关闭
2
I
关闭
3
[施密特特性]
滞后电压
高级别阈值电压
低级别的阈值电压
[陶瓷振荡器]
振荡器频率
振荡器的稳定时间
[晶振]
振荡器频率
振荡器的稳定时间
[串行时钟]
周期
输入
产量
t
CKCY
t
CKL
t
长实
t
CKR
, t
CKF
f
XT
f
XTS
f
CF
f
CFS
V
HYS
VT
VT L
0.1 V
DD
P2，P3 ，P5，P6 ，在OSC1 （EXT） ， RES
0.5 V
DD
0.2 V
DD
OSC1 ， OSC2 ：图2中， 4兆赫
图3，图4兆赫
4.0
10.0
0.8 V
DD
0.5 V
DD
V
V
V
兆赫
ms
XT1 ， XT2 ：图2中，当子振荡器
被选中的选项， 32千赫
图3中，当子振荡器选项
选择32千赫
32.768
1.0
5.0
千赫
s
0.9
2.0
SCK0 ， SCK1 ：与图4中的定时和
图5的测试负载。
0.4
1.0
0.1
s
TCYC
s
TCYC
s
低层次和高层次的输入
脉冲宽度
产量
崛起的下降时间
[串行输入]
数据建立时间
数据保持时间
[串行输出]
输出的延迟时间
产量
t
ICK
t
长江基建
SI0 ， SI1 ：与图4中的定时。
规定相对于上升沿（↑ ）
SCK0或SCK1 。
0.3
0.3
s
s
t
CKO
SO0 ， SO1 ：与图5中的时间和
图5所示的试验负荷教学落实相
到SCK0或SCK1的下降沿（↓） 。
0.3
s
接下页。
