LC66P5316
该LC66E5316 ， LC66P5316和LC6653XX系列之间的主要区别
项
在主要区别
特征
工作温度范围
LC6653XX系列（掩膜版）
-30至+ 70°C
3.0 5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
3.0 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
最大： 1 μA
最大： 1 μA
LC66E5316
10至+ 40℃的
4.5 5.5 V / 0.95 10微秒
（当主振荡器
操作）
4.5 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
LC66P5316
-30至+ 70°C
4.0 5.5 V / 0.92 10微秒
（当主振荡器
操作）
4.0 5.5 V / 25 127微秒
（当副振荡器工作）
典型值： 10 μA
（正常运行和停止模式）
保持模式： 1 μA最大
典型： 100 μA
工作电源电压/工作
频率（周期时间）
输入高电平电流（ RES ）
输入低电平电流（ RES ）
电流消耗
（工作在4 MHz时）
（工作在32千赫）
（暂停模式下为4 MHz ）
（暂停模式下的32 kHz ）
（保持模式）
在复位端口输出类型
包
典型： 10 nA的，最高： 10 μA
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
比为掩模版本较大
典型： 10 nA的，最高： 10 μA *
在指定的输出类型
选项
DIP48S
QFP48E
漏极开路输出
DIC52S窗口包
QFC48窗口包
漏极开路输出
DIP48S
QFP48E
注意：
*
虽然单片机将保持在保持模式，如果RES引脚设置为低电平，而它在保持模式，总是使用复位启动顺序（后
从低到高HOLD开关，开关RES从低到高）结算时，保持模式。另外约100 μA的电流从RES引脚流出
当它是低的。这大约为100μA增加保持模式的电流消耗。
看到数据表上其他方面的差异细节单个产品。
系统框图
RAM堆栈
(512W)
系统
控制
旗
ê DD DD
SP M·P P P P
HL XY
C
Z
OTP ROM
(16KB)
水库
TEST
OSC1
OSC2
HOLD
XT1
XT2
ANI至4
ADC
PE
PD
PC
舞会
控制
A0到A13
D0到D7
CE
DASEC
VPP / OE
EPMOD
TA
E
A
ALU
PC
预分频器
MPX
TIMER0
串行I / O 0
POUT0
SI0
SO0
SCK0
INT0
INT1 ， INT2
MPX
打断
控制
SI1
SO1
SCK1
PIN1 ， Pout1成为
INV
x
O
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P8
DS1
INV
x
I
（ x = 0到4）
MPX
TIMER1
串行I / O 1
DS0
第5489-5 / 28
