IRHF7230 ， IRHF8230 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7262设备
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
—
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
15
—
—
0.35
0.36
4.0
—
25
250
100
-100
50
10
25
25
40
60
45
—
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 3.5A
VGS = 12V ，ID = 5.5A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 3.5A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 5.5A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 100V ， ID = 5.5A ，
RG = 7.50Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
nH
从漏测
修改对称MOSFET
铅的6mm （ 0.25 ）
平原示出了内部
从包装到中心电感。
而死亡。
从源代码测
铅的6mm （ 0.25 ）
从包装到
源焊盘。
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1100
250
55
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.5
22
1.4
400
3.0
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25°C ， IS = 5.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 5.5A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RTH- PCB
结到外壳
结到环境
最小典型最大
—
—
—
—
5.0
175
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
2
www.irf.com
