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ISL95711
操作规范
在推荐的工作条件,除非另有规定。
(续)
符号
t
t
SU : STA
t
高清: STA
t
苏: DAT
t
高清: DAT
t
苏: STO
t
高清: STO
t
DH
t
R
(注15 )
t
F
(注15 )
Cb
(注15 )
RPU
(注15 )
t
WC
(注14 )
t
苏:一个
t
高清:一
参数
时钟高电平时间
启动条件建立时间
START条件保持时间
输入数据建立时间
输入数据保持时间
停止条件的建立时间
停止条件的建立时间
输出数据保持时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
电容式SDA或SCL的加载
SDA和SCL总线上拉电阻场外
芯片
非易失性写周期时间
A0 , A1建立时间
A0 , A1保持时间
启动条件结束前
停止条件后,
600
600
测试条件
测量V的70 %
CC
道口。
SCL上升沿到SDA下降沿。两
穿越的V 70 %
CC
.
从SDA下降沿穿越V的30 %
CC
to
SCL下降沿穿越V的70 %
CC
.
从SDA退出30%至70 %的V
CC
窗口,以SCL上升沿穿越V的30 %
CC
从SCL上升沿穿越V的70 %
CC
to
SDA进入Ⅴ的30 %至70%
CC
窗口。
从SCL上升沿穿越V的70 %
CC
,以
SDA上升沿穿越V的30 %
CC
.
从SDA上升沿到SCL下降沿。两
穿越的V 70 %
CC
.
从SCL下降沿穿越V的30 %
CC
直到
SDA进入30%70 %的V
CC
窗口。
从30%到V的70%
CC
从70%到V的30%
CC
总片上和片外
最大为t确定
R
和T
F
.
用于CB = 400pF时,最大约为2 2.5kΩ 。
用于CB = 40pF ,最大约为15 20kΩ的。
600
600
600
100
0
600
600
0
20 +
0.1 * Cb的
20 +
0.1 * Cb的
10
1
250
250
400
典型值
(注1 )
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
k
12
20
ms
ns
ns
SDA ,SCL VS时机
t
F
t
t
t
R
SCL
t
SU : STA
t
高清: STA
SDA
(输入计时)
t
苏: DAT
t
高清: DAT
t
苏: STO
t
AA
SDA
(输出时序)
t
DH
t
BUF
5
FN8241.2
2005年8月15日

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