位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2857页 > M5M51016BTP-12VL-I > M5M51016BTP-12VL-I PDF资料 > M5M51016BTP-12VL-I PDF资料2第1页
1997年7月9日
1997年7月9日
M5M51016BTP,RT-12VL-I,
M5M51016BTP,RT-12VL-I,
-12VLL-I
-12VLL-I
1048576 - BIT （ 65536 - WORD 16位） CMOS静态RAM
1048576 - BIT （ 65536 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M51016BTP ， RT是1048576位CMOS静态RAM
由16位这是用捏造组织为65536字
高性能三重多晶硅CMOS技术。利用
电阻负载NMOS的细胞和CMOS外围结果在高
密度和低功耗静态RAM 。
它们是低的待机电流和低工作电流和理想
对于电池备份应用程序。
该M5M51016BTP ， RT被封装在一个44引脚薄型小
外形封装这是一种高可靠性，高密度表面
安装器件（SMD ） 。有两种类型的设备。
M5M51016BTP （普通导线弯曲式封装） ， M5M51016BRT
（反向弯曲引线型封装） 。使用这两种类型的设备，它
变得很容易设计的印刷电路板。
三菱的LSI
三菱的LSI
引脚配置（顶视图）
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
芯片选择
输入
CS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
BC
1
BC
2
A
14
A
15
A
13
W
A
8
A
9
A
11
字节
控制
输入
地址
输入
写
控制
输入
地址
输入
地址
输入
M5M51016BTP
特点
电源电流
型号名称
存取时间
（最大）
(0V)GND
OUTPUT ENABLE
输入
活跃
（最大）
待用
（最大）
120A
(V
CC
= 3.6V)
M5M51016BTP,RT-12VL
120ns
12mA
(1MHz)
M5M51016BTP,RT-12VLL
120ns
24A
(V
CC
= 3.6V)
0.3A
(V
CC
= 3.0V,
典型值）
数据
输入/
输出
单+ 3.0V电源
低待机电流0.3 A（典型值）。
直接TTL兼容：所有输入和输出
易内存扩展和功率下降CS ，BC
1
BC &
2
在+ 2V电源数据保持
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
包
M5M51016BTP ， RT .............................. 44针400mil TSOP （ II ）
OE
NC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
A
10
GND(0V)
NC
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
数据
输入/
DQ
12
输出
DQ
11
DQ
10
DQ
9
V
CC
(5V)
大纲44P3W - H（ 400mil TSOP普通弯）
应用
小容量的存储单元
NC
字节
BC
1
控制
输入
BC
2
A
14
地址
输入
A
15
A
13
写
控制
W
输入
A
8
A
9
地址
输入
A
11
A
10
(0V)GND
NC
DQ
16
DQ
15
DQ
14
数据
DQ
13
输入/
输出
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
(5V)V
CC 23
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
地址
A
4
输入
A
3
A
2
A
1
A
0
CS
芯片选择
输入
GND(0V)
OE
OUTPUT ENABLE
输入
NC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
数据
输入/
DQ
5
输出
DQ
6
DQ
7
DQ
8
大纲44P3W - J （ 400mil TSOP反向弯曲）
NC ：无连接
M5M51016BRT
三菱
电
1
