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'97.4.7
三菱的LSI
M5M5256DFP ，副总裁， RV -10VLL -I ， -12VLL -I ， -15VLL -I ，
-10VXL-I,-12VXL-I,-15VXL-I
262144 - BIT （ 32768 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测定条件
（ TA = -40 85°C ， VCC = 2.7 3.6V ，除非另有说明）
输入脉冲电平· ·················· V
IH
=2.2V,V
IL
=0.4V
输入上升和下降时间为5ns ··········
参考电平· ··················· V
OH
=V
OL
=1.5V
输出负载························· 1所示， CL = 30pF的（ -10VLL ， -10VXL ）
CL = 50pF的（ -12VLL ， -12VXL ）
CL = 100pF的（ -15VLL ， -15VXL ）
CL = 5pF的（十， TDIS ）
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （十， TDIS ）
1TTL
DQ
（包括
范围， JIG ）
C
L
图1输出负载
（ 2 ）读周期
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
/ S高后输出禁止时间
输出禁止时间后/ OE高
输出使能时间/ s低后
输出使能时间之后/ OE低
地址后，数据的有效时间
范围
-10VLL ， VXL -12VLL ， VXL -15VLL ， VXL
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
100
120
150
100
120
150
100
120
150
50
60
75
30
35
40
30
35
40
10
10
10
10
10
10
10
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
范围
-10VLL ， VXL -12VLL ， VXL
符号
参数
最小值最大值最小值最大值
t
CW
写周期时间
100
120
t
w
(W)
把脉冲宽度
70
80
t
su
(A)
地址建立时间
0
0
t
su
（ A- WH ）
地址建立时间相对于/ W高80
90
t
su
(S)
片选建立时间
80
90
t
su
(D)
数据建立时间
40
45
t
h
(D)
数据保持时间
0
0
t
REC
(W)
写恢复时间
0
0
t
DIS
(W)
从/ W的低输出禁止时间
30
35
t
DIS
（ OE）的
输出禁止时间从/ OE高
30
35
t
en
(W)
从/ W的高输出使能时间
10
10
t
en
（ OE）的
输出使能由/ OE低电平时间
10
10
-15VLL ， VXL单位
最小最大
ns
150
ns
90
ns
0
ns
100
ns
100
ns
50
ns
0
ns
0
ns
40
ns
40
ns
10
ns
10
三菱
电
4
