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'97.4.7
三菱的LSI
M5M5256DFP ，副总裁， RV -10VLL -I ， -12VLL -I ， -15VLL -I ，
-10VXL-I,-12VXL-I,-15VXL-I
262144 - BIT （ 32768 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于GND
Ta=25°C
评级
-0.3
*
~4.6
-0.3
*
~Vcc+0.3
（最多4.6 ）
单位
V
V
V
mW
°C
°C
0~Vcc
700
-40~85
-65~150
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1 I
OH
=-0.5mA
（ TA = -40 85°C ， VCC = 2.7 3.6V ，除非另有说明）
测试条件
范围
民
2.0
-0.3
*
2.4
VCC
-0.5
典型值
最大
VCC
+0.3
单位
V
V
V
V
0.6
高电平输出电压2 I
OH
=-0.05mA
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
（ AC ， MOS级）
I
OL
=1mA
V
I
=0
~
VCC
/ S = V
IH
或或/ OE = V
IH
,
V
I / O
=0
~
VCC
分钟。
/S≤0.2V,
周期
其他inputs<0.2V或>Vcc - 0.2V
1MHz
输出开敏。周期
/ S = V
IL
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开敏。周期
/S≥Vcc-0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
/ S = V
IH
，其它输入= 0
~
VCC
分钟。
周期
1MHz
-VLL
-VXL
0.05
11
1.5
11
1.5
0.4
±1
±1
20
V
uA
uA
ICC
1
mA
3
20
mA
3
24
4.8
0.33
uA
mA
ICC
2
主动电源电流
（交流， TTL电平）
ICC
3
ICC
4
待机电流
待机电流
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度
≤
为30ns ）
电容
符号
C
I
C
O
（ TA = -40 85°C ， VCC = 2.7 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
= GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
民
范围
TYP MAX
6
8
单位
pF
pF
注0 ：方向为电流流入到一个集成电路是正的（无标记） 。
1 ：典型值是在TA = 25 ℃。
2: C
I
, C
O
是周期性采样，不100 ％测试。
三菱
电
3
