ISL6612B ， ISL6613B
包更适合于高频应用。
看到布局考虑一段热转印
改进建议。在设计驱动成
应用，建议下面的计算
用于确保在所需频率操作安全
所选的MOSFET 。总栅极驱动功率损失
由于MOSFET的栅极电荷和驱动程序的内部
电路及其相应的平均驱动电流可以
估计与均衡器。图2和3 ，分别
P
Qg_TOT
=
P
Qg_Q1
+
P
Qg_Q2
+
I
Q
VCC
Q
G1
UVCC
2
-
P
Qg_Q1
= --------------------------------------
F
SW
N
Q1
V
GS1
Q
G2
LVCC
2
-
P
Qg_Q2
= -------------------------------------
F
SW
N
Q2
V
GS2
（当量2）
UVCC
BOOT
D
C
GD
R
HI1
R
LO1
G
R
G1
R
GI1
C
GS
S
相
Q1
C
DS
图3.典型的上层栅极驱动导通路径
LVCC
D
C
GD
Q
G1
UVCC
N
Q1
Q
G2
LVCC
N
Q2
I
DR
=
----------------------------------------------------- + ----------------------------------------------------
F
SW
+
I
Q
-
-
V
GS1
V
GS2
（当量3）
R
HI2
R
LO2
G
R
G2
R
GI2
C
GS
S
C
DS
Q2
在栅极电荷（Q
G1
和Q
G2
）被定义在一
特别是栅源电压（V
GS1
和V
GS2
）中的
相应的MOSFET的数据表;我
Q
是驾驶者的总
静态电流无负载在两个驱动输出;
Q1
和N
Q2
在上部和下部MOSFET的数目，
分别; UVCC和LVCC是驱动电压
上下两个FET的分别。在我
Q*
VCC
产物是驱动器的静态功耗，而不
容性负载是典型的116MW频率为300kHz 。
总栅极驱动功率损耗之间的消散
电阻元件沿着转型之路。该驱动器
电阻消耗的总栅极驱动功率的一部分
亏损，其余的将通过外部门消退
电阻器（R
G1
和R
G2
）和内部栅极电阻
(R
GI1
和R
GI2
）的MOSFET。图3和图4示出了
典型的上部和下部的栅极驱动器的开启转型之路。
对驾驶员的耗散功率可大致
估计为：
P
DR
=
P
DR_UP
+
P
DR_LOW
+
I
Q
VCC
R
LO1
R
HI1
P
Qg_Q1
P
DR_UP
=
-------------------------------------- + ---------------------------------------
---------------------
-
2
R
HI1
+
R
EXT1
R
LO1
+
R
EXT1
R
LO2
R
HI2
P
Qg_Q2
P
DR_LOW
=
-------------------------------------- + ---------------------------------------
---------------------
-
2
R
HI2
+
R
EXT2
R
LO2
+
R
EXT2
R
GI1
R
EXT1
=
R
G1
+ -------------
N
Q1
图4.典型的低栅极驱动导通路径
布局的注意事项
对于热扩散，将铜的IC底下是否
它具有裸露焊盘或没有。铜面积可以
延伸超过所述IC和/或底部区域
连接到埋铜平面（ S）有散热孔。这
过孔的垂直散热逃生组合，扩展
铜平面，并为热扩散掩埋面允许
该IC以充分发挥其热势。
将每个信道的功率元件尽可能靠近每个
另外，尽量减少PCB的铜损耗和PCB
寄生：上FET的漏极之间的最短距离
较低的FET和来源;之间的最短距离
较低的FET和电源地的水渠。因此，较小
的正和负的振铃幅度都在
切换PHASE节点的边缘。然而，一些空间
在功率元件之间所需的良好
气流。从驱动程序的痕迹，场效应管应
保持短而宽，以减少走线的电感
并促进清洁驱动信号。
（公式4），
R
GI2
R
EXT2
=
R
G2
+ -------------
N
Q2
9
FN9205.1
2005年7月25日
