ISL6608
数据表
2004年3月
FN9140.1
同步整流MOSFET驱动器
带预偏置负载启动功能
该ISL6608是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET在synchronous-
整流降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合
在Intersil的HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器形成一个完整的单级核心电压
高效率表现在高稳压器解决方案
开关频率为先进的微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压（5V）和偏置
最大限度地减少栅极驱动损耗，由于在MOSFET栅极电荷
高开关频率的应用。每个驱动器能够
驱动3000pF的负载与低传播延迟和
超过10ns的过渡时间少。该产品实现
具有内部自举自举在上部栅
肖特基二极管，降低实施成本，复杂性
并且允许使用更高的性能的，具有成本效益
N沟道MOSFET 。自适应贯通保护
整合，以防止两个MOSFET的导通
同时。
该ISL6608拥有4A灌电流下门
驱动程序，它是能够保持较低的MOSFET栅极
第一阶段节点时上升沿防止直通
引起的相位节点的高dv / dt的功率损耗。
该ISL6608还具有三态PWM输入其中，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
将防止在输出电压时的负瞬态
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管通常出现在微处理器电源系统
用于保护所述微处理器从反转输出
电压事件。
二极管仿真功能集成在ISL6608为
提高轻负载条件下转换器的效率。二极管
仿真还启动时防止负瞬态
与上输出一个预偏置电压。当二极管
仿真使能，驱动程序允许不连续
通过检测电感电流导通模式
达到零，并随后关闭所述低压侧
的MOSFET ，从而防止输出吸收电流
并产生一个预偏置输出一个负脉冲
（参见图6和图7第7页） 。
特点
双MOSFET驱动器的同步整流桥
自适应贯通保护
0.5Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率高达2MHz
- 快速输出上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
低偏置电源电流（ 5V ， 80μA ）
二极管仿真增强型轻载效率和
预偏置启动应用程序
VCC POR （上电复位）功能集成
低三态关机释抑时间（典型值为160ns ）
引脚对引脚兼容ISL6605
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅可作为一种选择
应用
核心电压供应为FPGA和PowerPC的
微处理器
点-OF-负载模块具有预偏置启动向上
需求
高频率，大电流DC- DC转换器
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件“
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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