ISL6123 ， ISL6124 ， ISL6125 ， ISL6126 ， ISL6127 ， ISL6128
图24和25示出了一个高准确度-V检测
电路采用ISL6131and低成本低精度-V
检测电路分别。
应用注意事项
定时误差来源
在任何系统中有差异的贡献者，对于ISL612X
家族的定时误差主要贡献的三个来源。
电容时序不匹配错误
很显然，绝对的电容值是一个错误源
因此，较低的百分比公差电容有助于降低
这个误差源。图26示出了0.57ms的差
两者之间DLY_X输出斜坡到DLY_X门槛
电压，这5 ％的电容器是由一个共同的源。
在应用中，两个或更多的门或逻辑输出
必须具有并行转换，则建议一
常见DLY_X帽。用于消除这个定时误差。
图22. ±电压排序
-VIN
-VOUT
R1
ISL612X门
D1
附加组件2
必要-V控制
和测序。
D1必要的，以防止过早开启。 R1用来
持有FET VGS = 0V至D1 Vz的被克服。 R1值
可以改变以调整-V斜坡率。选择R1
4MΩ和10MΩ最初和微调的价值
电阻值的特别需要。
图23. - 电压FET驱动电路
+V
+偏置
VMON
R2
R5
(10K)
Q1 Si1300DL
或当量
到UVLO
ISL612X FOR
-V控制和
测序
图26.电容时序不匹配
DLY_X阈值电压和充电电流
不匹配
其他两个误差源来自IC本身是
在DLY_X阈值电压的差异， （ DLY_Vth ）
当栅极充电设置闭锁和DLY_X
充电电流， （ DLY_ichg ）在四个单独的I / O操作。
这两个参数是通过规范和界定
图27示出了具有共同的电容器的典型
错误贡献的这些因素是微不足道的既
DLY_X痕迹彼此叠加。
R1
R3
(1K)
ISL6131
OR
ISL6536A PGOOD R4
(15K)
-BIAS
R6
-V
R1和R2定义-V UVLO水平
R3确保主管（ ISL6131和ISL6536A ） PGOOD拉
R4和R5为0V和+ V之间的Q1栅极偏置
为0V （电阻值适合-V = -5V和+ V = + 3.3V ）
图24. HGH准确性-V锁定
+V
R1
TO UVLO ISL612X来控制数据
与序列-V的
R2
-V
选择R1和R2的值来驱动UVLO
当-V足够目前的高
图27. DLY_VTH和DLY_ICHG时序不匹配
图25.精度低-V存在检测
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