集成
电路
系统公司
ICS8344I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-24
D
。微分
-
TO
-LVCMOS F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0lfpm ）
-65 ℃150 ℃的
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些评级
只强调规范。产物在这些条件下或超出任何条件中所列出的功能操作
DC特性
or
AC特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下围
消耗臭氧层物质可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
参数
正电源电压
输出电源电压
静态电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
95
单位
V
V
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK_SEL ，
OE1 ， OE2 ， OE3
CLK_SEL ，
OE1 ， OE2 ， OE3
OE1 ， OE2 ， OE3
CLK_SEL
OE1 ， OE2 ， OE3
CLK_SEL
测试条件
最低
2
-0.3
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465, V
IN
= 0V
V
DD
= V
DDO
= 3.135V
I
OH
= -36mA
V
DD
= V
DDO
= 3.135V
I
OL
= 36毫安
-150
-5
2.6
0.6
典型
最大
3.8
0.8
5
150
单位
V
V
A
A
A
A
V
V
T
ABLE
4C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
-150
-5
0.15
1.3
V
DD
- 0.85
测试条件
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
共模输入电压;注： 1 ， 2
GND + 0.5
V
CMR
注1 ：对于单端应用，最大输入电压为CLK ， NCLK为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
8344BYI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一个2001年8月9日
