双路，四路和十六进制高速

差的ESD保护IC

应用信息

设计注意事项

针对ESD的损害结果，最大程度的保护

正确的电路板布局（见

布局建议

部分） 。良好的布局降低了寄生串联

电感上的接地线，电源线，和保护─

ED信号线。该MAX3205E / MAX3207E / MAX3208E

ESD二极管钳位电压上的保护线

在ESD事件和分流目前到GND或

V

CC

。在一个理想的电路，所述钳位电压（V

C

）是

定义为正向电压降（V

F

）的保护的

化二极管，加上电源电压出现在cath-

颂歌。

对于正ESD脉冲：

V

C

= V

CC

+ V

F

对于负ESD脉冲：

V

C

= -V

F

寄生串联电感对效果

线也必须考虑（图1） 。

对于正ESD脉冲：

D（我

ESD

)

D（我

ESD

)

V

C

=

V

CC

+

V

F

(

D1

)

+

L1 X

+

L2 X

dt

dt

在ESD事件时，电流脉冲从零上升

在纳秒峰值（图2）。例如，

在15kV的IEC- 61000气隙放电ESD事件时，

脉冲电流上升到约45A的1ns的（ di / dt的=

45 x 10

9

） 。只有10nH到的电感增加了一个额外

tional 450V到钳位电压，和表示

大约0.5英寸电路板走线。不管

器件的额定二极管钳位电压，一个贫穷的布局

与寄生电感显著增加

有效钳位电压在受保护的信号线。

减小寄生电感的放置效果

在MAX3205E / MAX3207E / MAX3208E尽可能靠近

连接器（或ESD接触点）成为可能。

低ESR的0.1μF电容建议之间

V

CC

和GND以得到最大的ESD保护

化成为可能。该旁路电容吸收

充由正的ESD事件传送。理想情况下，该

电源轨（V

CC

）将吸收所引起的电荷

而不改变其监管的正ESD冲击

值。所有的电源有一个有效的输出

阻抗上的积极轨道。如果电源的

有效输出阻抗为1Ω ，然后通过使用V = 1×

R， V的钳位电压

C

增加了由方程

灰V

C

= I

ESD

个R

OUT

。 A + 8kV的IEC 61000-4-2 ESD

事件产生24A的电流尖峰。夹紧

电压增加V

C

= 24A X 1Ω或V

C

= 24V.

同样，如果没有适当的旁路一个贫穷的布局increas-

ES的钳位电压。陶瓷贴片电容器

安装在尽可能靠近的MAX3205E /

MAX3207E / MAX3208E V

CC

销是最好的选择

此应用程序。旁路电容也应

放在尽可能靠近被保护设备成为可能。

MAX3205E/MAX3207E/MAX3208E

对于负ESD脉冲：

D（我

ESD

)

D（我

ESD

)

V

C

=

V

F

(

D2

)

+

L1 X

+

L3 X

dt

dt

在那里，我

ESD

是ESD电流脉冲。

正电源轨

L2

I

100%

90%

I

PEAK

D1

L1

I / O-

保护

LINE

D2

10%

t

R

= 0.7ns到1ns的

L3

地轨

30ns

60ns

t

图1.寄生串联电感

图2. IEC 61000-4-2 ESD发生器电流波形

5

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