过压保护控制器与

低待机电流

应用信息

MOSFET配置

在MAX4843 - MAX4846可与任何一个赎罪使用

如图中GLE MOSFET的结构

典型

工作电路，

或者可以用一个背用于─被构造

如图5背到背背MOSFET

配置具有几乎为零的反向电流时的

输入电源电压低于输出。

如果反向电流泄漏是不是一个问题，单个

MOSFET的都可以使用。这种方法有一半的损失

类似使用时的后端到背面配置

MOSFET的类型和是一个低成本的解决方案。需要注意的是，如果

输入实际拉低时，输出也被拉伸

低由于寄生体二极管的MOSFET。如果

这是一个问题，在背到背构造应

被使用。

在MAX4846的典型应用中，外部

适配器内置电池充电器连接至IN

和一个电池被连接到外部的源

FET 。当适配器被拔掉，IN是直接CON-

通过外部FET ，连接到该电池。自

电池电压通常大于3V ，则

栅极电压保持高电平，器件仍然pow-

由电池ERED 。

输入

+ 1.2V至+ 28V

N

N

MAX4843–MAX4846

1

1F

IN

门

4

V

IO

MAX4843–

MAX4846

2

GND

旗

3

图5.返回到返回外部MOSFET配置

IN旁路

对于大多数应用来说，旁路至GND与1μF

陶瓷电容器。如果电源有显著

电感由于长期引线长度，注意预

泄过冲是由于LC谐振电路，并提供

防护如果有必要，以防止超过30V

绝对最大额定值以IN 。

在MAX4843 - MAX4846提供保护，防止

电压高达28V的故障，但这不包括neg-

ative电压。如果负电压是一个问题，连续的

NECT从在一个肖特基二极管， GND钳位

负输入电压。

MOSFET选择

在MAX4843 - MAX4846的设计与使用

任一个单n沟道MOSFET或双背到背

n沟道MOSFET 。在大多数情况下， MOSFET的同

R

DS （ ON）

的V指定

GS

4.5V工作良好。如果

输入电压接近UVLO最大3.5V的， consid-

呃采用了较低的V的MOSFET

GS

电压。

另外， V

DS

应该是30V的MOSFET ，以与 -

站在全面28V IN的MAX4843 - MAX4846的范围。

表1示出了用于选择适当的MOSFET的

与MAX4843 - MAX4846使用。

ESD测试条件

ESD性能取决于许多条件。

在MAX4843 - MAX4846可免受具有±15kV的典

在iCal中的ESD时，在旁路至地，

1μF的陶瓷电容。

表1. MOSFET建议

部分

Si5902DC

Si1426DH

FDC6561AN

FDC6305N

FDG315N

配置/

包

Dual/1206-8

Single/SSOT-6

Dual/SSOT-6

Dual/SSOT-6

Single/SC70-6

V

DS

MAX（ V）

30

30

30

20

30

R

ON

在4.5V （ MΩ）

143

115

145

80

160

飞兆半导体

www.fairchildsemi.com

生产厂家

Vishay Siliconix公司

www.vishay.com

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