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HAT1046R
硅P沟道功率MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-1222 ( Z)
1日。版
2001年3月
特点
低电压驱动( 2.5 V驱动器)
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 30毫欧(典型值) 。 (在VGS = -4 V)
外形图
SOP-8
8
7
65
3
1 2
7 8
D D
5 6
D D
4
2
G
4
G
S1
S3
1, 3
来源
2, 4
5,6, 7,8排水
MOS1
MOS2
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