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HM62W8512B系列
的4M SRAM （ 512千字
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8-bit)
ADE - 203-904E （ Z）
修订版4.0
1999年10月20日
描述
日立HM62W8512B是4兆的静态RAM举办512千字
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8位。它实现了更高的密度，
更高的性能和低功耗采用0.35 μ米的Hi- CMOS工艺技术。该
设备，封装在一个525密耳的SOP （脚打印间距宽度）或400密耳的TSOP II型可用于高
密度安装。该HM62W8512B适合电池备份系统。
特点
3.3 V单电源： 3.3 V± 0.3 V
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗
主动： 16.5毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 3.3 μW （典型值）
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接LV- TTL兼容：所有输入和输出
电池备份操作
