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HM628512C系列
低V
CC
数据保持特性
（大= -20 + 70 ° C）
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
—
—
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
t
CDR
t
R
0
t
RC
*
5
典型值
—
1*
4
1*
4
—
—
最大
—
50*
1
15*
2
—
—
单位
V
A
A
ns
ns
见保留波形
测试条件*
3
CS
≥
V
CC
- 0.2 V ，输入电压
≥
0 V
V
CC
= 3.0V，输入电压
≥
0 V
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
注：1.对于L-版本和20
A
（最大）在Ta = -20 + 40 ℃。
2.对于L- SL-版本和3
A
（最大）在Ta = -20 + 40 ℃。
3.
CS
控制地址缓冲器，
WE
缓冲液，
OE
缓冲液，以及锭缓冲器。在数据保持模式下，输入电压
水平（地址，
WE ， OE ，
I / O）可以在高阻抗状态。
4.典型值是在V
CC
= 3.0 V， TA = + 25 ° C和指定的加载，并不能保证。
5. t
RC
=读周期时间。
低V
CC
数据保留时序波形
（ CS控制）
t
CDR
V
CC
4.5 V
数据保持方式
t
R
2.2 V
V
DR
CS
0V
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
12
