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HM628512C系列
的4M SRAM （ 512千字
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8-bit)
ADE - 203-1212 （ Z）
初步
修订版0.0
2000年9月12日
描述
日立HM628512C是4兆的静态RAM举办512千字
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8位。它实现了更高的密度，
更高的性能和低功耗采用高保真CMOS工艺技术。的装置，
封装在一个525密耳SOP （脚印间距宽度）或400万TSOP II型或600密耳的塑料DIP ，是
适用于高密度安装。该HM628512C适合电池备份系统。
特点
5 V单电源
访问时间： 55/70 NS （最大值）
功耗
主动： 50毫瓦/ MHz（典型值）
待机： 10
W
（典型值）
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接TTL兼容：所有输入和输出
电池备份操作
初步：该设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系您
最近日立的销售部关于规范。
