双路，低压差线性稳压器
同
RESET
或低噪声输出， UCSP或QFN封装
关闭
该MAX8530 / MAX8531有一个关断控
控制输入（ SHDN ） 。驱动器
SHDN
低关闭这两个
输出，电源电流降至10nA的。连
SHDN
到逻辑高，或IN ，以进行正常操作。
工作区和功耗
该MAX8530 / MAX8531s “最大功耗
取决于情况和税务局局长的热阻
扣器板，所述管芯之间的温度差
结点和环境空气，并且气流的速率。该
在器件的功耗为P = I
OUT
(V
IN
-
V
OUT
） 。最大功耗：
P
最大
= (T
J
- T
A
)/(θ
JB
+
θ
BA
)
其中T
J
- T
A
之间的温度差
MAX8530 / MAX8531芯结和周围的空气，
θ
JB
（或
θ
JC
）是封装的热阻，并
θ
BA
是通过在印刷电路的热阻
板，铜线，并外加其它材料
舍入的空气。
在MAX853_ETT__ （ 6引脚QFN ）的GND引脚per-
形成提供电CON-的双重功能
nection在地上，窜热量带走。
连接GND引脚和裸露焊盘接地
采用大垫或地平面。
MAX8530/MAX8531
内部P沟道MOSFET
该MAX8530 / MAX8531具有两个1Ω P沟道
MOSFET导通晶体管。 P沟道MOSFET亲
国际志愿组织在使用类似的设计几大优势
PNP旁路晶体管，包括更长的电池寿命。它
不需要基极驱动，大大降低了quies-
分电流。 PNP型稳压浪费相当
目前在退学时，导通晶体管饱和
并使用在重高的基极驱动电流
负载。该MAX8530 / MAX8531不会受到这些
问题仅消耗150μA静态电流的
租金是否辍学，轻载或重载应用程序
阳离子（见
典型工作特性） 。
而一个PNP型调节器具有低压差
是独立的负载，一个P沟道的MOSFET的
压差电压正比于负载电流，提供
针对低压差电压重物，非常
低压差在轻负载。
低噪声工作（ MAX8531 ）
外部0.01μF旁路电容BP ，要结合
灰与内部电阻时，会形成低通滤波器
（见
典型应用电路） 。
在MAX8531
展品40μV
RMS
与C的输出电压噪声
BP
=
0.01μF和C
OUT
= 2.2μF （见输出噪声
谱密度与在频率曲线图
典型
工作特性） 。
电流限制
该MAX8530 / MAX8531包含两个独立的电流
租金限制器，每个稳压器，显示器和
控制传输晶体管的栅极电压和限制
输出电流210毫安和165毫安最低。该
输出可短路到地无限期地
而不损坏部件。
热过载保护
热过载保护限制总功率耗散
化在MAX8530 / MAX8531 。当结温
perature超过T
J
= + 160 ° C，热传感器
信号的关断逻辑，关闭旁路晶体管
和使IC冷却。热传感器接通
IC的结温后，通过晶体管再次
TURE冷却10℃ ，从而导致在脉冲输出过程中
连续热过载情况。
热过载保护旨在保护
MAX8530 / MAX8531在故障状态下。为
持续经营，不超过绝对马克西
的T妈妈结温额定值
J
= +150°C.
输入
2.5V至6.5V
MAX8531
典型器件的应用电路
IN
C
IN
2.2F
OUT1
2.2F
1.5V至3.3V
在200毫安
MAX8531
BP
10nF
ON
关闭
SHDN
GND
OUT2
1F
1.5V至3.3V
150mA时
_______________________________________________________________________________________
7
