HCTS75MS
1995年9月
抗辐射
双路2位双稳态透明锁存器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装（ SBDIP ）
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ，铅涂层
顶视图
Q0 1
D0 1
D1 1
E 2
VCC
D0 2
D1 2
Q1 2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 1 Q0
15 1 Q1
14 1 Q1
13 1 E
12
11
GND
2 Q0
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD （SI ）
SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/位天
（典型值）
剂量率生存能力： >1 ×10
12
RAD （SI ） / S
剂量率翻转>10
10
RAD （SI ） / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围：-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
≤
5μA在VOL ， VOH
10 2 Q0
9
2 Q1
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
（ FLATPACK ） MIL - STD- 1835 CDFP4 - F16 ，铅涂层
顶视图
Q0 1
D0 1
D1 1
E 2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1 Q0
1 Q1
1 Q1
1 E
GND
2 Q0
2 Q0
2 Q1
描述
Intersil的HCTS75MS是抗辐射的双2位
双稳态透明锁存器。每两个闩锁的控制
通过一个独立的使能输入端（E ），它们是活性低。 ê低锁存器
输出状态。
该HCTS75MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。此设备是辐射中的一员
化硬化，高速， CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS75MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
（K SUF网络X）或SBDIP封装（D SUF网络X） 。
VCC
D0 2
D1 2
Q1 2
工作原理图
2(6)
D0
13(4)
E
LATCH 0
16(10
D
LE
Q
LE
1(11
订购信息
14(8
部分
数
HCTS75DMSR
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C
+125
o
C
筛选
水平
Intersil的类
s等效
Intersil的类
s等效
样品
包
16铅SBDIP
3(7)
D1
5
12
VCC
GND
LE
D
LE
15(9
Q
锁存器1
HCTS75KMSR
to
16引脚陶瓷
扁平
16铅SBDIP
真值表
输入
D
E
H
H
L
Q
L
H
Q0
输出
Q
H
L
Q0
HCTS75D/
样品
HCTS75K/
样品
HCTS75HMSR
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
样品
16引脚陶瓷
扁平
DIE
L
H
DIE
X
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
470
518625
3189.1
