HCTS245T

模具特点

DIE尺寸：

（ 3149μm X 2794μm X 533μm

±51m)

124 X 110 X 21mils

±2mil

金属化：

类型：铝硅

厚度： 11.0k

±1k

衬底电位：

蓝宝石上硅无偏

背面表面处理：

蓝宝石

钝化：

类型： SILOX （S

i

O

2

)

厚度： 13K

±2.6k

最坏情况下的电流密度：

< 2.0e5 /平方厘米

2

晶体管数量：

274

过程：

CMOS SOS

金属掩模布局

HCTS245T

(20) V

CC

（ 19 ） OE

（1） DIR

NC

NC

NC

A0 (2)

NC

(18) B0

A1 (3)

(17) B1

A2 (4)

(16) B2

A3 (5)

(15) B3

A4 (6)

(14) B4

A5 (7)

(13) B5

B7 (11)

注：模具图是从类似HCS设备通用的阴谋。它意在表示近似的管芯尺寸和焊盘的位置。面膜

系列为HCTS245是TA14417A 。

Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下

ISO9000

质量体系CERTI网络阳离子。

Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权

出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和

可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致

从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。

关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站

http://www.intersil.com

3

GND （10）

B6 (12)

A6 (8)

A7 (9)